Влияние механизмов роста на деформацию элементарной ячейки и переключение поляризации в гетероструктурах титаната бария-стронция на оксиде магния
Мухортов В.М., Головко Ю.И., Бирюков С.В., Анохин А., Юзюк Ю.И.1
1Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия e-mail: muhortov
Поступила в редакцию: 29 января 2015 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2015 г.
Исследованы влияние механизмов роста на деформацию ячейки и связанное с этим изменение свойств монокристаллических пленок Ba0.8Sr0.2TiO3, выращенных на подложках MgO по механизмам роста Франка-Ван дер Мерве и Вольмера-Вебера. Показано, что деформация ячейки существенно зависит от толщины пленки и в значительной мере определяется механизмами роста. Установлено, что в рамках одной пары пленка-подложка можно варьировать напряжения в пленке от двумерно-растягивающих до сжимающих за счет изменения механизмов роста и толщины пленки.
- Janolin P.E. // J. Mater. Sci. 2009. Vol. 44. P. 5025
- Li D., Gariglio S., Cancellieri C., F\^ete A., Stornaiuolo D., Triscone J.-M. // APL Mater. 2014. Vol. 2. P. 012 102
- Martin L.W., Chu Y.-H., Ramesh R. // Mater. Sci. Eng. 2010. Vol. R 68. P. 89
- Юзюк Ю.И. // ФТТ. 2012. Т. 54. С. 963
- Сигов А.С., Мишина Е.Д., Мухортов В.М. // ФТТ. 2010. Т. 52. С. 709
- Gerra G., Tagantsev A.K., Setter N., Parlinski K. // Phys. Rev. Lett. 2006. Vol. 96. P. 107 603
- Schlom D.G., Chen L., Eom C-B., Rabe K.M., Streiffer S.K., Triscone J.-M. // Ann. Rev. Mater. Res. 2007. Vol. 37. P. 589
- Janolin P.-E., Anokhin A.S., Gui Z., Mukhortov V.M., Golovko Yu.I., Guiblin N., Ravy S., Marssi M.El., Yuzyuk Yu.I., Bellaiche L., Dkhil B. // J. Phys.: Cond. Mater. 2014. Vol. 26. P. 292 201
- Chinchamalatpure V., Ghosh S., Chaudhari G. // Mater. Sci. Appl. 2010. Vol. 1. P. 187
- van der Merwe J.H. // J. Appl. Phys. 1963. Vol. 34. P. 117
- Hull R., Bean J. // Crit. Rev. Solid State Mater. Sci. 1994. Vol. 17. P. 507
- Кукушкин С.А., Слезов В.В. Дисперсные системы на поверхности твердых тел. Механизмы образования тонких пленок. СПб.: Наука, 1996. 304 с
- Mukhortov V.M., Golovko Y.I., Tolmachev G.N., Klevtzov A.N. // Ferroelectrics. 2000. Vol. 247. P. 75
- Мухортов В.М., Головко Ю.И., Толмачёв Г.Н., Мащенко А.И. // ЖТФ. 2000. Т. 70. С. 1235
- Мухортов В.М., Юзюк Ю.И. Гетероструктуры на основе наноразмерных сегнетоэлектрических пленок: получение, свойства и применение. Ростов н/Д.: ЮНЦ РАН, 2008. 224 с
- Жигалина О.М., Кускова А.Н., Чувилин А.Л.. Мухортов В.М., Головко Ю.И. // Поверхность. 2009. Т. 7. С. 55
- Головко Ю.И., Мухортов В.М., Юзюк Ю.И., Janogin P.E., Dkhil B. // ФТТ. 2008. Т. 50. С. 467
- Shirokov V.B., Yuzyuk Yu.I., Dkhil B., Lemanov V.V. // Phys. Rev. B. 2009. Vol. 79. P. 144 118
- Мухортов В.М., Колесников В.В., Головко Ю.И., Мащенко А.И., Бирюков С.В. // ЖТФ. 2005. Т. 75. С. 126
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук