Приведены результаты экспериментального исследования микроразрядов в диодах с малыми зазорами и с автоэмиссионными катодами из стеклоуглерода. Показано, что в диодах с многоострийными катодами микроразряды зарождаются и развиваются на вершинах микроострий, когда плотность тока автоэмиссии достигает критических значений в соответствии с теорией Дайка. В диодах с развитой поверхностью без микроострий плотность тока автоэлектронной эмиссии не достигает критических значений и не является причиной возникновения микроразрядов. Экспериментально установлено, что при зазорах диодного промежутка меньше 100 mum изменение давления остаточных газов от 1·10^-7 до 1·10^-5 Torr не влияет на эмиссионную способность и стабильность автоэлектронной эмиссии катодов из стеклоуглерода. Пороговая напряженность поля, при которой возникают микроразряды в диодах с катодами из стеклоуглерода, не изменяется в диапазоне давления остаточных газов от 1· 10^-7 до 1·10^-5 Torr.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.