Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2015, выпуск 7 » Статья стр. 112
<<<>>>
Моделирование морфологии поверхности при низкоэнергетическом ионном распылении
Шумилов А.С.1, Амиров И.И.1
1Ярославский филиал Физико-технологического института РАН, Ярославль, Россия
Email: AndShumilov@gmail.com
Поступила в редакцию: 29 ноября 2013 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2015 г.
PDF версия
Представлен новый двумерный метод моделирования морфологии поверхности материалов в процессах низкоэнергетического ионного распыления с учетом процесса переосаждения распыляемого материала. Проведено моделирование изменения профиля микроканавок в кремнии при распылении их ионами аргона низкой энергии плотной плазмы ВЧ индукционного разряда. Результаты численного моделирования находятся в хорошем согласии с экспериментом.
  1. Kim H.-B., Hobler G., Steiger A., Lugstein A., Bertagnolli E. // Nanotechnology. 2007. Vol. 18. N 24. P. 245 303
  2. Kim H.-B., Hobler G., Steiger A., Lugstein A., Bertagnolli E. // Nanotechnology. 2007. Vol. 18. N 26. P. 265 307
  3. Hobler G., Kovac D. // Nucl. Instrum. Meth. B. 2011. Vol. 269. N 8-9. P. 1609--1613
  4. Ebm C., Hobler G. // Nucl. Instrum. Meth. B. 2009. Vol. 267. N 18. P. 2987--2990
  5. Mutzke A., Schneider R., Bizyukov I. // J. Nucl. Mater. 2009. Vol. 390--391. P. 115--118
  6. Bizyukov I., Mutzke A., Schneider R., Davis J. // Nucl. Instrum. Meth. B. 2010. Vol. 268. N 17--18. P. 2631--2638
  7. Экштайн В. Компьютерное моделирование взаимодействия частиц с поверхностью твердого тела. М.: Мир, 1995. 319 с
  8. Mahorowala A.P., Sawin H.H. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2002. Vol. 20. N 3. P. 1064--1076
  9. Шумилов А.С., Амиров И.И. // Микроэлектроника. 2007. Т. 36. Вып. 4. C. 277--287
  10. Lua J., Kushner M.J. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2001. Vol. 19. N 5. P. 2652--2663
  11. Hamaguchi S., Mayo A.A., Rossnagel S.M., Kotecki D.E., Milkove K.R., Wang C., Farrell C.E. // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. Vol. 36. N 7B. P. 4762--4768
  12. Sugiura K., Takahashi S., Amano M., Kajiyama T., Iwayama M., Asao Y., Shimomura N., Kishi T., Ikegawa S., Yoda H., Nitayama A. // Jap. J. Appl. Phys. 2009. Vol. 48. N 8. P. 08HD02--08HD02-3.
  13. Persson A., Ericson F., Thornell G., Nguyen H. // J. Micromech. Microeng. 2011. Vol. 21. N 4. P. 045014
  14. Aoki T., Chiba S., Matsuo J., Yamada I., Biersack J.P. // Nucl. Instrum. Meth. B. 2001. Vol. 180. P. 312--316
  15. Abdollahi-Alibeik S., Zheng J., McVittie J.P., Saraswat K.C., Gabriel C.T., Abraham S.C. // J. Vac. Sci. Technol. B. 2001. Vol. 19. N 1. P. 179--185
  16. Belen J.R., Gomez S., Kiehbauch M., Cooperberg D., Aydil E.S. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2005. Vol. 23. N 1. P. 99--113
  17. Sobolewski M.A., Olthoff J.K., Wang Y., Guo W., Bai B. // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 85. N 8. Р. 3966--3975
  18. Liu X.-Y., Daw M.S., Kress J.D., Hanson D.E., Arunachalam V., Coronell D.G., Lu C.-L., Voter A.F. // Thin Sol. Films. 2002. Vol. 422. P. 141--149
  19. Kersten H., Snijkers R.J., Schulze J., Kroesen G.M., Deutsch H., de Hoog F.J. // Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 64. N 12. P. 1496--1498
  20. Guo W., Bai B., Sawin H.H. // J. Vac. Sci. Technol. A. 2009. Vol. 27. N 2. P. 388--403
  21. Steinbruchel C. // Appl. Phys. Lett. 1989. Vol. 55. P. 1960--1962
  22. Ikuse K., Yoshimura S., Hine K., Kiuchi M., Hamaguchi S. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2009. Vol. 42. P. 135 203
  23. Seah M.P., Nunney T.S. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2010. Vol. 43. N 25. P. 253 001
  24. Wei Q., Li K.-D., Lian J., Wang L. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2008. Vol. 41. P. 172 002
  25. Мартыненко Ю.В., Рогов А.В., Шульга В.И. // ЖТФ. 2012. Т. 82. Вып. 4. C. 13--18
  26. Wu H., Anders A. // J. Phys. D: Appl. Phys. 2010. Vol. 43. P. 065 206
  27. Jain R., Kasturi R., Schunck B.G. // Machine Vision. McGraw Hill. 1995. Ch. 6. P. 186--233
  28. Gonzalez R.C., Woods R.E. Digital Image Processing. 3rd Addison--Wesley, 1993. Ch. 8. 976 p
  29. Бандман О.Л. // Системная информатика. 2005. Вып. 10. C. 57--113
  30. Евсеев А.А., Нечаева О.И. // Прикладная дискретная математика. 2009. Вып. 4. C. 72--83
  31. Малинецкий Г.Г., Степанцов М.Е. // Журн. вычислит. матем. и математич. физ. 1998. Т. 36. Вып. 6. С. 1017--1021
  32. Zimin S.P., Amirov I.I., Gorlachev E.S. // Sem. Sci. Technol. 2011. Vol. 26. P. 055 018--055 024
  33. Sobolewski M.A., Olthoff J.K., Wang Y. // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 85. N 8. P. 3966--3975
  34. Yamamura Y., Tawara H. // Atom. Data Nucl. Data. 1996. Vol. 62. P. 149
  35. Chang S.J., Arnold J.C., H. Zau G.C., Shin H.-S., Sawin H.H. // J. Vac. Sci. Technol. 1997. Vol. 15. N 4. P. 1853--1864
  36. Edelberg E.A., Aydil E.S. // J. Appl. Phys. 1999. Vol. 86. N 9. P. 4799--4812
  37. Mo Y.-W., Kleiner J., Webb M.B., Lagally M.G. // Phys. Rev. Lett. 1991. Vol. 66. N 15. P. 1998--2001
  38. Doi T., Ichikawa M., Hosoki S., Ninomiya K. // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 53. N 24. P. 16 609--16 623
  39. Князева А.Г., Псахье С.Г. // Физическая мезомеханика. 2006. Т. 9. Вып. 2. С. 49--54.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme