Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2015, выпуск 6 » Статья стр. 111
<<<>>>
Высоковольтные дрейфовые диоды с резким восстановлением на основе 4H-SiC: теоретическая оценка предельных параметров
Иванов П.А.1, Грехов И.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: Pavel.Ivanov@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 17 ноября 2014 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2015 г.
PDF версия
Разработана простая аналитическая модель, описывающая работу 4H-SiC дрейфовых диодов с резким восстановлением (ДДРВ) со структурой p+-p-n0-n+. С использованием разработанной модели теоретически оценены предельные электрические параметры высоковольтных (2-10 kV) импульсных генераторов, построенных на основе одиночных диодов.
  1. Грехов И.В., Месяц Г.А. // УФН. 2005. Т. 175. N 7. С. 735--744
  2. Zhao J.H., Alexandrov P., Li X. // IEEE EDL. 2003. Vol. 24. N 6. P. 402--404
  3. Грехов И.В., Иванов П.А., Константинов А.О., Самсонова Т.П. // 2002. ПЖТФ. Т. 28. N 13. С. 24--29
  4. Grekhov I.V., Ivanov P.A., Khristyuk D.V., Konstantinov A.O., Korotkov S.V., Samsonova T.P. Solid-State Electronics. // 2003. Vol. 47. N 10. P. 1769--1774
  5. Грехов И.В., Кюрегян А.С., Мнацаканов Т.Т., Юрков С.Н. // ФТП. 2003. Т. 37. Вып. 9. С. 1148--1151
  6. Кюрегян А.С. // ЖТФ. 2004. Т. 74. Вып. 6. С. 57--64
  7. Афанасьев А.В., Иванов Б.В., Ильин В.А., Кардо-Сысоев А.Ф., Лучинин В.В., Серков Ф.Б. Сб. трудов Всероссийской конфер. "Микроэлектроника СВЧ", Санкт-Петербург, СПбГЭТУ. 2012. С. 260--262
  8. Benda H., Shpenke E. // Proc. IEEE. 1967. Vol. 55. P. 1331--1354
  9. Иванов П.А., Грехов И.В. // ФТП. 2012. Т. 46. Вып. 4. С. 544--547
  10. Ivanov P.A., Grekhov I.V. Materials Science Forum. 2013. Vols. 740--742. P. 865-- 868
  11. Иванов П.А., Грехов И.В., Ильинская Н.Д., Самсонова Т.П. // ФТП. 2005. Т. 39. Вып. 12. С. 1475--1479
  12. Properties of advanced Semiconductor Materials: GaN, AIN, InN, BN, SiC, SiGe / Ed. by M.E. Levinshtein, S.L. Rumyantsev, M.S. Shur. John Wiley \& Sons, 2001. 194 p
  13. Ivanov P.A., Levinshtein M.E., Palmour J.W., Das M.K., Hull B.A. // Solid-State Electronics. 2006. Vol. 50. N 7--8. P. 1368--1370

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme