Вышедшие номера
Создание ультратонкого источника примеси для снижения радиационных потерь фоточувствительных пленок CdS
Стецюра С.В.1, Глуховской Е.Г.1, Козловский А.В.1, Маляр И.В.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: stetsyurasv@mail.ru
Поступила в редакцию: 23 июля 2014 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2015 г.

Формирование пленки арахината свинца исследовано на границах раздела водного раствора нитрата свинца с воздухом и с твердой гидрофильной подложкой. Проведена оценка эффективности переноса свинца методом Ленгмюра--Шеффера на полупроводниковую подложку. Сделаны выводы об оптимальных условиях получения монослоев арахината свинца с учетом минимального содержания в них кислорода с целью дальнейшего использования полученных слоев в качестве источника примеси для CdS. Показано, что для достижения оптимального соотношения между фоточувствительностью пленочных образцов CdS и снижением их деградационных потерь при облучении ускоренными электронами достаточно создать в приповерхностном слое толщиной, равной глубине максимальной диссипации энергии ионизирующего излучения, преципитаты PbS радиусом не менее 3 nm.
  1. Хрипунов Г.С., Копач В.Р., Мериуц А.В., Зайцев Р.В., Кириченко М.В., Дейнеко Н.В. // ФТП. 2011. Т. 45. Вып. 1, 1564 (2011)
  2. Ильчук Г.А., Кусьнэж В.В., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Шаповал П.Й., Петрусь Р.Ю. // ФТП. 2010. Т. 44. Вып. 3. С. 335
  3. Морозова Н.К., Канахин А.А., Мирошникова И.Н., Галстян В.Г. // ФТП. 2013. Т. 47. Вып. 8. С. 1014
  4. Murali K.R., Matheline M., John R. // Chalcogenide Lett. 2009. Vol. 6. N 9. P. 483
  5. Чуфаров А.Ю., Форостяная Н.А., Ермаков А.Н., Самигулина Р.Ф., Маскаева Л.Н., Марков В.Ф., Зайнулин Ю.Г. // Журн. неорг. химии. Т. 58. N 10. С. 1362
  6. Бухаров В.Э., Роках А.Г., Стецюра С.В. // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. Вып. 3. С. 66
  7. Rokakh A.G., Stetsyura S.V., Trofimov N.B., Elagina N.V. // Inorg. Mater. 1999. Vol. 35. N 5. P. 452
  8. Маляр И.В., Стецюра С.В. // ФТП. 2011. Т. 45. Вып. 7. С. 916
  9. Маляр И.В., Матасов М.Д., Стецюра С.В. // Письма в ЖТФ. 2012. Т. 38. Вып. 16. С. 42
  10. Роках А.Г., Стецюра С.В. // Неорганические материалы. 1997. Т. 33. N 2. С. 198
  11. Роках А.Г., Стецюра С.В., Жуков А.Г., Сердобинцев А.А. // Письма в ЖТФ. 2006. Т. 32. Вып. 1. С. 58
  12. Роках А.Г. // Письма в ЖТФ. 1984. Т. 10. Вып. 13. Т. 10. С. 820
  13. Бухаров В.Э., Роках А.Г., Стецюра С.В. // ЖТФ. 2003. Т. 73. Вып. 2. С. 93
  14. Степанов В.А. // ЖТФ. Т. 68. Вып. 8. С. 67
  15. Kanaya K., Okayama S. // J. Рhys. D. Vol. 5. P. 43
  16. Ho J.C., Ford A.C., Chueh Y.-L., Leu P., Ergen O., Takei K., Smith G., Majhi P., Bennett J., Javey A. // Appl. Рhys. Lett. 2009. Vol. 95. P. 072 108--1
  17. Стецюра С.В., Маляр И.В., Сердобинцев А.А., Климова С.А. // ФТП. 2009. Т. 43. Вып. 8. С. 1102
  18. Китаев Г.А., Марков В.Ф., Маскаева Л.Н. // Неорганические материалы. 1990. Т. 26. N 2. С. 248
  19. Томашик В.Н., Грицив В.И. // Диаграммы состояния систем на основе полупроводниковых соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=-. Киев: Наукова думка, 1982. С. 59
  20. Роках А.Г., Кумаков А.В., Елагина Н.В. // ФТП. 1979. Т. 13. Вып. 4. С. 787
  21. Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Куницына Е.В., Пархоменко Я.А., Васюков Д.А., Яковлев Ю.П. // ФТП. 2001. Т. 35. Вып. 8. С. 941
  22. Янклович А.И. // Успехи коллоидной химии. Л.: Химия, 1991. С. 262
  23. Вениг С.Б., Стецюра С.В., Глуховской Е.Г., Климова С.А., Маляр И.В. // Нанотехника. 2009. Т. 19. С. 49
  24. Stetsyura S.V., Klimova S.A., Wenig S.B., Malyar I.V., Arslan M., Dincer I., Elerman Y. // Appl. Рhys. A. 2012. Vol. 109. N 3. P. 571
  25. Булярский С.В., Светухин В.В., Приходько О.В. // ФТП. 1999. Т. 33. Вып. 11. С. 1281
  26. Сердобинцев А.А., Роках А.Г., Стецюра С.В., Жуков А.Г. // ЖТФ. 2007. Т. 77. Вып. 11. С. 96

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.