Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2015, выпуск 4 » Статья стр. 67
<<<>>>
Синтез AlGaN/GaN-гетероструктур для ультрафиолетовых фотоприемников методом молекулярно-лучевой эпитаксии
Малин Т.В., Гилинский А.М., Мансуров В.Г., Протасов Д Ю., Шестаков А.К., Якимов Е.Б., Журавлев К.С.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 17 февраля 2014 г.
Выставление онлайн: 20 марта 2015 г.
PDF версия
Рассмотрена технология синтеза методом молекулярно-лучевой эпитаксии AlGaN/GaN полупроводниковых гетероэпитаксиальных структур для фотоприемников ультрафиолетового диапазона спектра. Проведена разработка технологии получения AlGaN-слоев и многослойных гетероструктур, включающей в себя нитридизацию поверхности подложки сапфира, создание инициирующего зародышевого слоя и рост буферного слоя, рост нелегированных и легированных слоев AlGaN различного состава. Исследовано влияние режимов роста на морфологию поверхности, плотность прорастающих дислокаций и других структурных дефектов, электрофизические и оптические свойства отдельных слоев и AlGaN-гетероструктур для ультрафиолетовых фотоприемников. Выполнено математическое моделирование p-i-n-фотодиодов, разработан технологический маршрут изготовления AlGaN-гетероструктур, изготовлены тестовые AlGaN p-i-n-диоды и исследованы их характеристики.
  1. Monroy E., Omnes F., Calle F. // Semicond. Sci. Technol. 2003. Vol. 18. N 4. P. R33-R51
  2. TCAD Sentaurus Device User's Manual. Version F-2011.09. Mountain View: Synopsys Inc., 2011
  3. Vurgaftman I., Meyer J.R., Ram-Mohan L.R. // J. Appl. Phys. 2001. Vol. 89. N 11. P. 5815 - 5875.
  4. Skierbiszewski C., Dybko K., Knap W., Siekacz M., Krupczyski W., Nowak G., Bokowski M., Usakowski J., Wasilewski Z.R., Maude D., Suski T., Porowski S. // Appl. Phys. Lett. 2005. Vol. 86. N 10. P. 102106 - 102106-3
  5. Bhattacharyya A., Moustakas T.D., Zhou Lin, Smith David. J., Hug W. // Appl. Phys. Lett. 2009. Vol. 94. N 18. P. 181907 - 181907-3
  6. Nikishin S., Borisov B., Kuryatkov V., Holtz M., Garrett G.A., Sarney W.L., Sampath A.V., Shen H., Wraback M., Usikov A., Dmitriev V. // J. Mater. Sci.: Mater. Electron. 2008. Vol. 19. N 8. P. 764 - 769
  7. Cordier Y., Moreno J.-C., Baron N., Frayssinet E., Chenot S., Damilano B., Semond F. // IEEE Electron Device Lett. 2008. Vol. 29. N 11. P. 1187 - 1189
  8. Damilano B., Natali F., Brault J., Huault T., Lefebvre D., Tauk R., Frayssinet E., Moreno J.-C., Cordier Y., Semond F., Chenot S., Massies J. // Appl. Phys. Express 2008. Vol. 1. N 12. P. 121101 -121101-3
  9. Молекулярно лучевая эпитаксия и гетероструктуры / Под ред. Л. Ченга и К. Плога. М.: Мир, 1989
  10. Uchida K., Watanabe A., Yano F., Kouguchi M., Tanaka T., Minagawa S. // J. Appl. Phys. 1996. Vol. 79. N 7. P. 3487 - 3491
  11. Grandjean N., Massies J., Leroux M. // Appl. Phys. Lett. 1996. Vol. 69. N 14. P. 2071 - 2073
  12. Zhuravlev K.S., Mansurov V.G., Protasov D.Yu., Polyakov A.Y., Smirnov N.B., Govorkov A.V. // J. Appl. Phys. 2009. Vol. 105. N 11. P. 113712 - 113712-8
  13. Huang D., Visconti P., Jones K.M., Reshchikov M.A., Yun F., Baski A.A., King T., Morkoc H. // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 78. P. 4145 - 4147
  14. Rouviere J.L., Weyher J.L., Seelmann-Eggebert M., Porowski S. // Appl. Phys. Lett. 1998. Vol. 73. N 5. P. 668 - 670
  15. Seelmann-Eggebert M., Weyher J.L., Obloh H., Zimmermann H., Rar A., Porowski S. // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 71. N 18. P. 2635--2637
  16. Sumiya M., Yoshimura K., Ohtsuka K., Fuke S. // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 76. N. 15. P. 2098 - 2100
  17. Stutzmann M., Ambacher O., Eickhoff M., Karrer U., Lima Pimenta A., Neuberger R., Schalwig J., Dimitrov R., Schuck P.J., Grober R.D. // Phys. Stat. Sol. (b). 2001. Vol. 228. N 2. P. 505 - 512
  18. Nikishin S.A., Faleev N.N., Antipov G., Francoeur S., Grave de Peralta L., Seryogin G.A., Temkin H., Prokofyeva T.I., Holtz M., Chu S.N.G. // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 75. N 14. P. 2073 - 2075
  19. Jang S.-H., Lee C.-R. // J. Cryst. Growth. 2003. Vol. 253. N 1. P. 64 - 70
  20. Zhuravlev K.S., Osinnykh I.V., Protasov D.Yu., Malin T.V., Davydov V.Yu., Smirnov A.N., Kyutt R.N., Spirina A.V., Solomonov V.I. // Phys. Stat. Sol. (c). 2013. Vol. 10. P. 315 - 318
  21. Borisov B., Kuryatkov V., Kudryavtsev Yu., Asomoza R., Nikishin S., Song D.Y., Holtz M., Temkin H. // Appl. Phys. Lett. 2005. Vol. 87. N 13. P. 132106 - 132106-2
  22. Fichtenbaum N.A., Schaake C., Mates T.E., Cobb C., Keller S., DenBaars S.P., MishraYu U.K. // Appl. Phys. Lett. 2007. Vol. 91. N 17. P. 172105 - 172105-2.
  23. Romano L.T., Kneissl M., Northrup J.E., Van de Walle C.G., Treat D.W. // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 79. N 17. P. 2734--2736
  24. Dong Nyung Lee // Appl. Phys. Lett. 2011. Vol. 99. N 24. P. 241905 - 241905-2.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme