Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование влияния зарядки халькогенидных стеклообразных полупроводников в коронном разряде на образование наложенных голографических дифракционных решеток

Настас А.М.¹, Иову М.С.¹, Тридух Г.М.¹, Присакар А.М.¹

¹Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова Institute of Applied Physic of Chisinau State University, Chisinau, MD-2028, Moldova

Email: nastas_a@usm.md

Поступила в редакцию: 6 мая 2014 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.

PDF версия

Исследована оптическая запись двух наложенных голографических решеток, которые были записаны в поле коронного разряда в структуре Ni-As₂S₃. Показано, что использование коронного разряда при записи в структуре Ni-As₂S₃ позволяет увеличить голографическую чувствительность этой структуры и дифракционную эффективность зарегистрированных решеток в несколько раз. Установлено, что при записи двух наложенных решеток поверхностный рельеф, полученный в результате химического травления голографических решеток, при записи которых использовался коронный разряд, является более однородным и отличается большей глубиной модуляции толщины поверхностного рельефа.

Сейсян Р.П. // ЖТФ. 2011. Т. 81. Вып. 8. С. 1--14
Венгер Е.Ф., Мельничук А.В., Стронский А.В. Фотостимулированые процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и их практическое применение. Киев: Академпериодика, 2007. 283 с
Florinel Sava, Mihai Popescu, Adam Lorinczi, Alin Velea // Phys. Status Sol. B. 2013. Vol. 250. N 5. P. 999--1003
Palumbo V., Kovalskiy A., Jain H., Huey B.D. // Nanotechnology. 2013. Vol. 24. N 12. P. 125 706-1-7.
Данько В.А., Индутный И.З., Минько В.И., Шепелявый П.Е., Березнева О.В., Литвин О.С. // Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46. Вып. 4. С. 520--524.
Настас А.М., Андриеш В.В., Бивол А.М., Присакарь Г.М., Тридух Г.М. // ПЖТФ. 2006. Т. 32. Вып. 1. С. 89--94
Настас А.М., Андриеш А.М., Бивол В.В., Присакар А.М., Тридух Г.М. // ЖТФ. 2009. Т. 79. Вып. 2. С. 139--142
Андриеш А.М., Бивол В.В., Буздуган А.И., Иову М.С., Панасюк Л.М., Фулга В.И., Тридух Г.М., Циуляну Д.И., Шутов С.Д. Стеклообразные полупроводники в фотоэлектрических системах записи оптической информации Кишинев.: Штиинца, 1988. С. 12--64
Bodurov I., Yovcheva T., Vlaeva I., Viraneva A., Todorov R., Spassov G., Sainov S. // J. Phys. Conf. Series. 2012. Vol. 398. P. 012 053
Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. Т. 2. 658 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель