Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование влияния зарядки халькогенидных стеклообразных полупроводников в коронном разряде на образование наложенных голографических дифракционных решеток
1Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова 
Email: nastas_a@usm.md
Поступила в редакцию: 6 мая 2014 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2015 г.
Исследована оптическая запись двух наложенных голографических решеток, которые были записаны в поле коронного разряда в структуре Ni-As2S3. Показано, что использование коронного разряда при записи в структуре Ni-As2S3 позволяет увеличить голографическую чувствительность этой структуры и дифракционную эффективность зарегистрированных решеток в несколько раз. Установлено, что при записи двух наложенных решеток поверхностный рельеф, полученный в результате химического травления голографических решеток, при записи которых использовался коронный разряд, является более однородным и отличается большей глубиной модуляции толщины поверхностного рельефа.
- Сейсян Р.П. // ЖТФ. 2011. Т. 81. Вып. 8. С. 1--14
- Венгер Е.Ф., Мельничук А.В., Стронский А.В. Фотостимулированые процессы в халькогенидных стеклообразных полупроводниках и их практическое применение. Киев: Академпериодика, 2007. 283 с
- Florinel Sava, Mihai Popescu, Adam Lorinczi, Alin Velea // Phys. Status Sol. B. 2013. Vol. 250. N 5. P. 999--1003
- Palumbo V., Kovalskiy A., Jain H., Huey B.D. // Nanotechnology. 2013. Vol. 24. N 12. P. 125 706-1-7.
- Данько В.А., Индутный И.З., Минько В.И., Шепелявый П.Е., Березнева О.В., Литвин О.С. // Физика и техника полупроводников. 2012. Т. 46. Вып. 4. С. 520--524.
- Настас А.М., Андриеш В.В., Бивол А.М., Присакарь Г.М., Тридух Г.М. // ПЖТФ. 2006. Т. 32. Вып. 1. С. 89--94
- Настас А.М., Андриеш А.М., Бивол В.В., Присакар А.М., Тридух Г.М. // ЖТФ. 2009. Т. 79. Вып. 2. С. 139--142
- Андриеш А.М., Бивол В.В., Буздуган А.И., Иову М.С., Панасюк Л.М., Фулга В.И., Тридух Г.М., Циуляну Д.И., Шутов С.Д. Стеклообразные полупроводники в фотоэлектрических системах записи оптической информации Кишинев.: Штиинца, 1988. С. 12--64
- Bodurov I., Yovcheva T., Vlaeva I., Viraneva A., Todorov R., Spassov G., Sainov S. // J. Phys. Conf. Series. 2012. Vol. 398. P. 012 053
- Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. Т. 2. 658 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
