Вышедшие номера
Магниторезистивная среда на основе пленочной структуры Fe20Ni80/Fe50Mn50
Васьковский В.О., Лепаловский В.Н., Горьковенко А.Н., Кулеш Н.А., Савин П.А., Свалов А.В., Степанова Е.А., Щёголева Н.Н., Ювченко А.А.1
1Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 13 марта 2014 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2014 г.

Исследовано влияние ряда физико-технологических факторов на микроструктуру, магнитные и магниторезистивные свойства пленочных структур на основе бислоев Fe20Ni80/Fe50Mn50 с обменным (магнитным) смещением. Определены зависимости поля магнитного смещения, коэрцитивной силы, величины эффекта анизотропии магнитосопротивления от порядка осаждения и толщины слоев в пленочных структурах, температуры подложки, температуры отжига, температуры измерений для пленок, полученных магнетронным распылением, в том числе в условиях высокочастотного электрического смещения на подложке. Показано, что пленочная структура SiO2/Ta(5)/Fe20Ni80(5)/Fe50Mn50(20)/Fe20Ni80(40)/Ta(5) обладает оптимальным сочетанием свойств как магниторезистивная среда с внутренним магнитным смещением. Приведены результаты испытания магнитных сенсоров, изготовленных из этого материала по технологии оптической фотолитографии.