Вышедшие номера
Спиновая инжекция электронов в светоизлучающих диодах на основе структур GaMnAs/GaAs/InGaAs с туннельным переходом
Дорохин М.В., Малышева Е.И., Звонков Б.Н., Здоровейщев А.В., Данилов Ю.А., Николичев Д.Е., Боряков А.В., Зубков С.Ю.1
1Научно-образовательный центр "Физика твердотельных наноструктур" Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Email: dorokhin@nifti.unn.ru
Поступила в редакцию: 21 сентября 2013 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.

Исследована циркулярно-поляризованная электролюминесценция светоизлучающих диодов на основе гетероструктур GaMnAs/n++GaAs/n-GaAs/InGaAs/p-GaAs. Зависимость степени циркулярной поляризации от магнитного поля может быть описана петлей гистерезиса, что связывается с инжекцией спин-поляризованных электронов из намагниченного GaMnAs. Эффект наблюдается в диапазоне температур 10-90 K.