Определение уровней прилипания в монокристаллах AgGaSe2 методом термической очистки
Мамедов Ф.И.1, Зарбалиева С.М.1, Гурбанова Э.К.1
1Академия МЧС Азербайджанской Республики, AZ Баку, Азербайджан
Email: famil.mammadov@fhn.gov.az
Поступила в редакцию: 16 января 2014 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2014 г.
На монокристаллах тройного соединения исследованы спектры термостимулированной проводимости в широкой области температур (100-400 K) и интенсивности электрического поля (5-300 V). Методом термической очистки изолированны два уровня в запрещенной зоне монокристаллов и определена их энергия активации с 0.11 eV. Установлено, что наблюдение таких уровней с одинаковыми энергиями для разных образцов позволяет сделать вывод, что этот уровень характерен для исследуемых образцов и это результат повторного прилипания.
- Горюнова Н.А. Сложные алмазоподобные полупроводники. М.: Сов. радио, 1968. 264 с
- Shay J.L., Wernick J.H. Ternary chalсopyrite semiconductors. Growth, Electronic Properties and applications. Oxford: Pergomon Press, 1975. Chap. 4. P. 110
- Aliyev V.A., Mamedov F.I. et al. // Solid State Commun. 1986. Vol. 59. N 11. P. 745--746
- Kasumov T.K., Mamedov F.I. // Phys. Status Solidi A. 1989. Vol. 111. P. 205
- Мамедов Ф.И. // Вестник азербайджанской инженерной академии. 2012. N 4. С. 13--19
- Мамедов Ф.И. // Теоретическая и прикладная механика. 2010. N 3. С. 86--90
- Вubе R.H. // J. Chem. Phys. 1955. Vol. 23. P. 18
- Garlick С.F.I, Gibson A.F. // Proc. Phys. Soc. 1948. Vol. 81. P. 141
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук