Вышедшие номера
Аномальный рост термоэдс в эпитаксиальном графене
Алисултанов З.З., Мирзегасанова Н.А.1
1Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия
Email: zaur0102@gmail.com
Поступила в редакцию: 21 февраля 2014 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2014 г.

В рамках модели Давыдова рассмотрен термоэлектрический эффект в эпитаксиальном графене, сформированном на поверхности полупроводника. Используется подход, основанный на формуле Кубо для проводимости и дифференциальной термоэдс. Показано, что вблизи краев запрещенной щели полупроводника термоэдс эпитаксиального графена возрастает более чем в 4 раза по сравнению с термоэдс вблизи точки Дирака. Приводится возможное объяснение этого эффекта.