Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2014, выпуск 9 » Статья стр. 107
<<<>>>
Аналитическая модель дрейфа и диффузии носителей заряда в органических светодиодах при наличии объемного заряда
Никитенко В.Р.1, Санникова Н.А.1, Стриханов М.Н.1
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Email: natsan@inbox.ru
Поступила в редакцию: 19 июля 2013 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2014 г.
PDF версия
Предложена сравнительно простая аналитическая модель для расчета вольт-амперных характеристик для монополярного режима транспорта заряда в тонких слоях неупорядоченных органических материалов, которая учитывает энергетический беспорядок и эффекты объемного заряда. Определена зависимость минимальной высоты энергетического барьера для инжекции, при которой можно пренебречь эффектами объемного заряда, в зависимости от толщины слоя и ширины гауссова энергетического распределения.
  1. Scott J.C., Malliaras G.G. // Chem. Phys. Lett. 1999. Vol. 299. P. 115--119
  2. Crone B.K., Davids P.S., Campbell I.H., Smith D.L. // J. Appl. Phys. 2000. Vol. 87. P. 1974--1982
  3. Blom P.W.M., Jong M.J.M., Vleggaar J.J.M. // Appl. Phys. Lett. 1996. Vol. 68. P. 3308--3310
  4. Burin A.L., Ratner M.A. // J. Chem. Phys. 2000. Vol. 113. P. 3941--3944
  5. Arkhipov V.I., von Seggern H., Emelianova E.V. // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 83, P. 5074--5076
  6. Bassler H. // Phys. Stat. Sol. B. 1993. Vol. 175. P. 15--56
  7. Van der Holst J.J.M., van Oost F.W.A., Caehoorn R., Bobbert P.A. // Phys. Rev. B. 2011. Vol. 83. P. 085 206--085 206-13
  8. Knapp E., Hausermann R., Schwarzenbach H.U., Ruhstaller B. // J. Appl. Phys. 2010. Vol. 108. P. 054 504--054 504-8
  9. Genenko Yu.A., Yampolskii S.V., Melzer C., Stegmaier K., von Seggern H. // Phys. Rev. B. 2010. Vol. 81. P. 125 310--125 310-15
  10. Arkhipov V.I., Wolf U., Bassler H. // Phys. Rev. B. 1999. Vol. 59. P. 7514--7520
  11. Arkhipov V.I., Emelianova E.V., Tak Y.-H., Bassler H. // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 84. P. 848--856
  12. Ruhstaller B., Knapp E., Perucco B., Reinke N., Rezzonico D., Muller F. Advanced Numerical Simulation of Organic Light-emitting Devices, Optoelectronic Devices and Properties / Ed. by O. Sergiyenko. InTech, 2011. 660 p
  13. Neumann F., Genenko Y.A., Melzer C., Yampolskii S.V., Seggern H. // Phys. Rev. B. 2007. Vol. 75. P. 205 322--205 322-10
  14. Lampert M.A., Mark P. Current Injection in Solids. NY: Academic, 1970
  15. Mensfoort S.L.M., Shabro V., Vries R.J., Janssen R.A.J., Coehoorn R. // J. Appl. Phys. 2010, Vol. 107. P. 113 710--113 710-8
  16. Coehoorn R., Pasveer W.F., Bobbert P.A., Michels M.A.J. // Phys. Rev. B. 2005. Vol. 72. P. 155 206--155 206-20
  17. Wolf U., Arkhipov V.I., Bassler H. // Phys. Rev. B. 1999. Vol. 59. P. 7507--7513
  18. Lochner K., Reimer B., Bassler H. // Phys. Stat. Sol. B. 1976. Vol. 76. N 2, P. 533--540

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme