Вышедшие номера
Фоточувствительные анизотипные гетеропереходы n-ZnSe/p-InSe и n-ZnSe/p-GaSe
Кудринский З.Р.1, Ковалюк З.Д.1
1Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
Email: kudrynskyi@gmail.com
Поступила в редакцию: 30 августа 2013 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2014 г.

Впервые получены анизотипные гетеропереходы n-ZnSe/p-GaSe и n-ZnSe/p-InSe. Гетеропереходы были изготовлены на подложках из слоистых кристаллов GaSe и InSe путем отжига в парах Zn. Установлено, что полученные гетеропереходы являются фоточувствительными в ближней инфракрасной и видимой областях спектра.
  1. Yoffe A.D. // Ann. Rev. Mater. Sci. 1973. Vol. 3. P. 147--170
  2. Terhell J.C.J.M. // Prog. Cryst. Growth Ch. 1983. N 7. P. 55--110
  3. Wisotzki E., Klein A., Jaegermann W. // Thin Sol. Films. 2000. Vol. 380. N 1. P. 263--265
  4. Бахтинов А.П., Водопьянов В.Н., Слынько Е.И., Ковалюк З.Д., Литвин О.С. // Письма ЖТФ. 2007. Т. 33. Вып. 2. С. 80--88
  5. Катеринчук В.Н., Кудринский З.Р., Хомяк В.В., Орлецкий И.Г., Нетяга В.В. // ФТП. 2013. Т. 47. Вып. 7. С. 935--938
  6. Бакуменко В.Л., Чишко В.Ф. // ФТП. 1977. Т. 11. Вып. 10. С. 2000--2002
  7. Бакуменко В.Л., Ковалюк З.Д., Курбатов Л.Н., Тагаев В.Г., Чишко В.Ф. // ФТП. 1980. Т. 14. Вып. 8. С. 1573--1577
  8. Хандожко В.А., Кудринский З.Р., Ковалюк З.Д. // ФТП. 2014. Т. 48. Вып. 4. С. 564--569
  9. Kovalyuk Z.D., Katerynchuk V.M., Savchuk A.I., Sydor O.M. // Mater. Sci. Engin. 2004. Vol. 109. N 1--3. P. 252--255
  10. Катеринчук В.Н., Кудринский З.Р. // ФТП. 2013. Т. 47. Вып. 3. С. 320--323
  11. Jaegermann W., Klein A., Pettenkofer C. In: Electron Spectroscopies Applied to Low-Dimentional Materials: Physics and Chemistry of Materials with Low-Dimentional Structures / Ed. by H.P. Hughes, H.I. Starnberg. Netherlands: Kluwer Academic Publishers, 2002. P. 317--402
  12. Xu M., Liang T., Shi M., Chen H. // Chem. Rev. 2013. Vol. 113. N 5. P. 3766--3798
  13. Бахтинов А.П., Кудринский З.Р., Литвин О.С. // ФТТ. 2011. Т. 53. Вып. 10. С. 2045--2050
  14. Lei S., Ge L., Liu Z., Najmaei S., Shi G., You G., Lou J., Vajtai R., Ajayan P.M. // Nano Lett. 2013. Vol. 13. N 6. P. 2777--2781
  15. Late D.J., Liu B., Luo J., Yan A., Matte H.S.S.R., Grayson M., Rao C.N.R., Dravid V.P. // Advanc. Mater. 2012. Vol. 24. N 26. P. 3549--3554
  16. Hu P.A., Wen Z., Wang L., Tan P., Xiao K. // ACS Nano. 2012. Vol. 6. N 7. P. 5988--5994
  17. Mudd G.W., Svatek S.A., Ren T., Patane A., Makarovsky O., Eaves L., Beton P.H., Kovalyuk Z.D., Lashkarev G.V., Kudrynskyi Z.R., Dmitriev A.I. // Advanc. Mater. 2013. Vol. 25. N 40. P. 5714--5718
  18. Ковалюк З.Д., Политанская О.А., Сидор О.Н., Маслюк В.Т. // ФТП. 2008. Т. 42. Вып. 11. С. 1321--1326
  19. Георгобиани А.Н., Шейнкман М.К. Физика соединений A-=SUP=-II-=/SUP=-B-=SUP=-VI-=/SUP=-. М.: Наука, 1986. 320 c
  20. Махний В.П., Мельник В.В., Орлецкий И.Г. // Письма в ЖТФ. 2011. Т. 37. Вып. 8. С. 21--25
  21. Makhniy V.P., Khusnutdinov S.V., Gorley V.V. // Acta Phys. Polon. A. 2009. Vol. 116. N 5. P. 859--861
  22. Naval V., Smith C., Ryzhikov V., Naydenov S., Alves F., Karunasiri G. // Advanc. in OptoElectron. 2010. Vol. 2010. P. 619 571(1)--619 571(5)
  23. Rao G.K., Bangera K.V., Shivakumar G.K. // Sol. St. Electron. 2010. Vol. 54. N 8. P. 787--790
  24. Bouhdada A., Hanzaz M., Vigue F., Faurie J.P. // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 83. N 1. P. 171--173
  25. Williams R.H., McEvoy A.J. // J. Vac. Sci. Technol. 1972. Vol. 9. N 2. P. 867--870
  26. Гавриленко В.И., Грехова А.М., Корбутяк Д.В., Литовченко В.Г. Оптические свойства полупроводников. Справочник. Киев: Наук. думка, 1987. 608 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.