Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование области обратных токов в кнудсеновском диоде с поверхностной ионизацией в перекомпенсированном режиме при наличии эмиссии электронов с коллектора II. Малый межэлектродный промежуток
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 24 апреля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.
Изучается кнудсеновский диод с поверностной ионизацией в перекомпенсированном режиме в области обратных токов при достаточно малых межэлектродных расстояниях, когда области приэлектродных скачков потенциала перекрываются. Исследуется асимптотическое поведение тока при больших отрицательных напряжениях.
- Бабанин В.И., Ситнов В.И., Соловьев А.В., Эндер А.Я. // ЖТФ. 2002. Т. 72. Вып. 12. С. 23--31
- Ситнов В.И., Эндер А.Я. // ЖТФ. 1998. Т. 68. Вып. 4. С. 37--47
- Ситнов В.И., Эндер А.Я., Яковлев Е.В. // ЖТФ. 1999. Т. 69. Вып. 4. С. 26--34
- Nikolaev Yu.V., Eryomin S.A., Kalmykov S.S., et al. // Proc. 13th Symp. on SNPP. CONF-960109. New York: American Institute of Physics, 1996. P. 1299--1304
- Langmuir I. // Phys. Rev. 1929. Vol. 33. N 5. P. 954--989
- Добрецов Л.Н., Гомоюнова М.В. Эмиссионная электроника. М.: Наука, 1966. Langmuir I. // Phys. Rev. 1913. Vol. 2. P. 450--486
- Langmuir I. // Phys. Rev. 1923. Vol. 21. P. 419--435. Бурсиан В.Р. // Журн. рус. физ.-хим. общества. 1922. Т. 54. Вып. 1. С. 139--148
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
