Вышедшие номера
Вольт-амперная характеристика и параметры области шнура тока в барьерной негисторной гетероструктурe аморфный теллурид галлия--кристаллический кремний
Чеснис A.1, Карпинскас C.-А.1, Урбялис А.1
1Вильнюсский технический университет, Вильнюс, Литва
Email: fizkat@fm.vtu.lt
Поступила в редакцию: 4 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2002 г.

Приведены результате исследования переходной вольт-амперной характеристики негисторной барьерной гетероструктуры аморфный GaTe3-кристаллический n-Si в условиях проявления отрицательного дифференциального сопротивления. Определены основные параметры (радиус поперечного сечения, плотность тока и удельное сопротивление) области повышенной плотности (шнура) тока в аморфном слое данной структуры. Они сопоставлены с соответствующими параметрами токового шнура в контрольной безбарьерной структуре C-аморфный GaTe3-C. Показано, что электропроводность области шнурования тока исследованной гетероструктуры в указанных выше условиях определяется в основном процессами, происходящими в ее кристаллическом компоненте.