Вышедшие номера
Спин-вентильные магниторезистивные структуры на основе многослойных пленок Co/Tb
Свалов А.В., Савин П.А., Курляндская Г.В., Гутиеррес И., Васьковский В.О.1
1Уральский государственный университет им. А.М. Горького, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 25 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.

Исследовано влияние толщины слоев на магнитные свойства многослойных пленок Co/Tbn, Co/Tbn/Co и Co/Tbn/Co/Cu/Co. Получены зависимости гистерезисных и магниторезистивных свойств структур Co(1nm)/Tb(1nm)n/Co(5nm)/Cu(LCu)/Co(5nm) от толщины слоя Co/Tbn и прослойки меди. Показана возможность создания спин-вентильных структур на основе многослойных пленок Co/Tbn, обладающих плоскостной анизотропией.
  1. Magnetic Multilayers and Giant Magnetoresistance. Fundamentals and Industrial Applications / Ed. U. Hartman. Berlin; Heidelberg; New York: Springer-Verlag, 2000. 320 p
  2. Baibich M.N., Broto J.M., Fert A. et al. // Phys. Rev. Lett. 1988. Vol. 61. N 21. P. 2472--2475
  3. Dieny B., Speriosu V.S., Gurney B.A. et al. // J. Magn. Magn. Mater. 1991. Vol. 93. P. 101--104
  4. Vas'Kovskiy V.O., Svalov A.V. // J. Magn. Magn. Mater. 1996. Vol. 157--158. P. 285--286
  5. Freitas P.P., Leal J.L., Plaskett T.S. et al. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 75. N 10. P. 6480--6482
  6. Oliveira N.J., Ferreira J.L., Pinheiro J. et al. // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 81. N 8. P. 4903--4905
  7. Shan Z.S., Sellmyer D.J. // Handbook on the Physics and Chemistry of Rare Earth. Amsterdam: North Holland, 1996. Vol. 22
  8. Parkin S.S.P. // Appl. Phys. Lett. 1992. Vol. 61. P. 1358--1360
  9. Tumanski S. // Thin Film Magnetoresistive Sensors. Bristol; Philadelphia: IOP Publishing Ltd, 2001. 441 p
  10. Йелон А. // Физика тонких пленок. Т. 4. М.: Мир, 1973. С. 228--333

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.