Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2002, выпуск 5 » Статья стр. 95
<<<>>>
Эффекты ограничения заряда эмиссии фотокатодов при неоднородном освещении
Резников Б.И.1, Субашиев А.В.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: Boris.Reznikov@pop.ioffe.rssi.ru, arsen@spes.stu.neva.ru
Поступила в редакцию: 27 июня 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.
PDF версия
Теоретически исследована фотоэмиссия из полупроводника с отрицательным электронным сродством для неравномерного распределения интенсивности света на освещаемой поверхности при стационарном и импульсном возбуждении. Показано, что максимальное значение тока эмиссии экспоненциально возрастает с увеличением отношения отрицательного электронного сродства Delta0 к характерной энергии туннелирования E0, и найдена интенсивность возбуждения Iopt, соответствующая максимальному току. Неравномерность возбуждения приводит к ослаблению зависимости тока эмиссии от интенсивности вблизи его максимального значения. Время восстановления квантовой эффективности, измеряемое при двухимпульсном возбуждении, слабо зависит от интенсивности и неравномерности распределения интенсивности в пятне и близко ко времени релаксации малых фотонапряжений.
  1. Alley R., Aoyagi H., Clendenin J. et. al. // Nucl. Instr. and Methods A. 1995. Vol. 365 (1). P. 1--27
  2. Schneider J.E., Baum A.W., Winograd G.I. et. al. // J. Vac. Sci. Techn. B. 1996. Vol. 14 (6). P. 3782--3786
  3. Woods M. et. al.// J. Appl. Phys. 1993. Vol. 73 (12). P. 8531--8535
  4. Herrera--Gomez A., Vergara G., Spicer W.E. // J. Appl. Phys. 1996. Vol. 79 (9). P. 7318--7323
  5. Mulhollan G.A., Subashiev A.V., Clendenin J.E. et al. // Phys. Lett. A. 2001. Vol. 282 (2). P. 309--318
  6. Hecht M.H. // Phys. Rev. B. 1990. Vol. 41 (11). P. 7918--7921
  7. Bauer A., Prietsch M., Molodtsov S. et. al.// Phys. Rev. B. 1991. Vol. 44 (8). P. 4002--4005
  8. Резников Б.И., Субашиев А.В. // ФТП. 1998. Т. 32. Вып. 9. С. 1125--1134, ФТП, 1998. Т. 32. Вып. 12. С. 1467--1475
  9. Jaroshevich A.S., Kirillov M.A., Orlow D.A. et. al. // Proc. 7th Intern. Workshop on Polarized Gas Targets and Polarized Beams. Urbana (USA), 1997. P. 132--134
  10. Kirillov M.A., Orlov D.A., Terekhov A.S. // Proc. Low Energy Polarized Electron Workshop. St. Petersburg, 1998. P. 30--33
  11. Sinclair C. // Polarized Sources and Targets / Ed. A. Gute et al. Erlangen--Nurnberg, 1999. P. 222--232
  12. Mulhollan G.A. et. al. // Polarized Sources and Targets / Ed. A. Gute et al. Erlangen-Nurnberg, 1999. P. 322--334
  13. Ищенко Е.Ф. Открытые оптические резонаторы. М.: Сов. радио, 1980. 207 с
  14. Милнс А. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках. М.: Мир, 1977. 562 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme