Дефекты и дефектообразование в окисном слое ионно-имплантированных структур кремний--двуокись кремния
Барабан А.П.1, Милоглядова Л.В.1
1Санкт-Петербургский государственный университет, Научно-исследовательский институт физики, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 января 2001 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2002 г.
Совместно методами электролюминесценции и методами, основанными на измерении высокочастотных вольт-фарадных характеристик, исследовались структуры Si-SiO2, полученные термическим окислением кремния КЭФ-5 (100) во влажном кислороде при температуре 950oC (толщина окисного слоя 250 nm), имплантированные ионами аргона с энергией 130 keV и дозами 1013-3.2· 1017 cm-2. Установлена связь природы, свойств и механизмов формирования дефектов, образующихся в окисном слое имплантированных структур. На основании этого предложена модель дефектообразования в результате имплантации ионов Ar в структуры Si-SiO2.
- Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П. Электроника слоев SiO2 на кремнии. Л.: Изд-во ЛГУ, 1988. 304 с
- Барабан А.П., Коноров П.П., Малявка Л.В. и др. // ЖТФ. 2000. Вып. 8. С. 87--90
- Барабан А.П., Малявка Л.В. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. Вып. 20. С. 26--31
- Барабан А.П., Кузнецова А.А., Малявка Л.В. и др. // Изв. вузов. Электроника. 1998. N 4. C. 17--20
- Барабан А.П., Малявка Л.В. // Письма в ЖТФ. 2000. Т. 26. Вып. 4. С. 53--57
- Барабан А.П., Милоглядова Л.В., Тер-Нерсисянц В.И. // Письма в ЖТФ. 2001. Т. 27. Вып. 3. С. 89--94
- Skuja L.N., Streletsky A.N., Pakovich A.B. // Sol. St. Commun. 1984. Vol. 50. N 12. P. 1069--1072
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
