Кремниевый однопереходный тензотранзистор
Бабичев Г.Г.1, Козловский С.И.1, Романов В.А.1, Шаран Н.Н.1
1Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
Email: mickle@semicond.kiev.ua
Поступила в редакцию: 14 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2002 г.
Приведены результаты исследования однопереходного тензотранзистора на основе кремния. Тензотранзистор относится к тензочувствительным биполярным полупроводниковым приборам с горизонтальной структурой и входной (эмиттерной) вольт-амперной характеристикой S-типа. Определена оптимальная топология прибора, а также рассчитаны его основные характеристики. На основе однопереходного тензотранзистора могут быть созданы релаксационные генераторы с физически интегрированным преобразованием механического напряжения в изменение частоты выходного сигнала.
- Недолужко И.Г., Сергиенко Е.Ф. Однопереходные транзисторы. М.: Энергия, 1974. 101 с
- Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. М.: Радио и связь, 1990. 264 с
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Кн. 1. М.: Мир, 1984. 456 с
- Викулин И.М., Викулина Л.Ф., Стафеев В.И. Гальваномагнитные приборы. М.: Радио и связь, 1983. 104 с
- Гуменюк С.В., Подлепецкий Б.И. Зарубежная электронная техника. 1989. Вып. 12 (343). С. 3--48
- Бабичев Г.Г., Жадько И.П., Козловский С.И. и др. // ЖТФ. 1994. Т. 64. Вып. 9. С. 84--89
- Baltes H.P., Popovic R.S. // Proc. IEEE Trans. 1986. Vol. 74. N 8. P. 1107--1132
- Бойко И.И., Жадько И.П., Козловский С.И., Романов В.А. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. Киев, 1994. Вып. 27. С. 94--98
- Бойко И.И., Романов В.А. // ФТП. 1977. Т. 11. Вып. 5. С. 817--835
- Gribnikov Z.S., Lomova G.I., Romanov V.A. // Phys. Stat. Sol. 1968. Vol. 28. P. 815--825
- Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1970. 416 с
- Бабичев Г.Г., Гузь В.Н., Жадько И.П. и др. // ФТП. 1992. Т. 26. Вып. 7. С. 1244--1250
- Zhadko I.P., Babichev G.G., Kozlovskiy S.I. et al. // Sensors and Actuators. 2001. Vol. 90. N 1--2. P. 89--95
- Грибников З.С., Литовский Р.Н. // ФТП. 1980. Т. 14. Вып. 4. С. 675--679
- Гаряинов С.А., Абезгауз И.Д. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением. М.: Энергия, 1967. 200 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
