Вышедшие номера
Комбинированные фотоотражательные/фотолюминесцентные измерения для исследования стабильности пассивации поверхности полупроводника
Кузьменко Р.В., Ганжа А.В., Домашевская Э.П., Рясной П.В.1,2
1Воронежская государственная архитектурно-строительная академия, Воронеж, Россия
2(Kusmenko)
Email: phssd2@main.vsu.ru
Поступила в редакцию: 30 марта 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

Для исследования стабильности пассивации поверхности полупроводника впервые предлагается методика комбинированных фотоотражательных/фотолюминесцентных измерений, позволяющая изучить воздействие лазерного излучения и на заряженные, и на рекомбинационно-активные электронные состояния. Эффективность методики демонстрируется на примере пассивированных селеном подложек GaAs.