Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2002, выпуск 2 » Статья стр. 59
<<<>>>
Обнаружение заряженных дефектов с помощью спектров люминесценции
Гинзбург Л.П.1, Жилинский А.П.1
1Московский технический университет связи и информатики, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 25 ноября 1999 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.
PDF версия
Изложена методика анализа низкочастотного участка спектра люминесценции, которая позволяет установить наличие абсолютно жесткой кулоновской щели, образованной локализованными заряженными дефектами. Эффективность методики иллюстрируется на примерах люминесценции в аморфных полупроводниках, в оптических волокнах, а также триболюминесценции.
  1. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М., Наука, 1979. 426 с
  2. Hartstein A., Weinberg Z.A., DiMaria D.Y. Physics of SiO2 and its Ingerfaces. / Ed. S.T. Pantelides. New York: Pergamon Press, 1978. P. 51
  3. Ginzburg L.P. // J. Non-Cryst. Solids. 1994. Vol. 171. P. 164--171
  4. Гинзбург Л.П. // ФТП. 1989. Т. 23. Вып. 9. С. 1629--1634
  5. Lucovsky G. // Phill. Mag. B. 1979. Vol. 39. N 6. P. 531--540
  6. Цэндин К.Д. // Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках / Под ред. К.Д. Цэндина. СПб.: Наука, 1996. 485 с
  7. Ginzburg L.P. // J. Non-Cryst. Solids. 1994. Vol. 171. P. 172--181
  8. Chicon R., Ortuno M., Pollak M. // Phys. Rev. B. 1988. Vol. 37. N 18. P. 10 520--10 525
  9. Kastner M., Fritsche H. // Phill. Mag. B. 1978. Vol. 37. N 2. P. 199--215
  10. Lukovsky G. // Phill. Mag. B. 1980. Vol. 41. P. 457--467
  11. Гинзбург Л.П. // ФХС. 1999. Т. 25. N 2. C. 47--56
  12. Займан Дж. Модели беспорядка. М.: Мир, 1982. 591 с
  13. Davies J.H., Lee P.A., Rice T.M. // Phys. Rev. B. 1984. Vol. 29. N 8. P. 4260--4271
  14. Mollot F., Chernogora J., Benoit \`a la Gillaume C. // Phys. Stat. Sol. (a) 1974. Vol. 21. N 1. P. 281--289
  15. Austin I.G., Nashashibi T.S., Searle T.M., Spear W.E. // J. Non-Cryst. Solids. 1979. Vol. 32. P. 373--389
  16. Гельфанд Б.Л., Шкловский Б.И. // Физика сложных полупроводниковых соединений. Материалы IX Зимней школы по физике полупроводников. Л., 1979. С. 5
  17. Kaiser P. // J. Opt. Soc. Amer. 1974. Vol. 64. N 4. P. 475--481
  18. Hibino Y., Hanafusa H., Sakaguchi S. // Appl. Phys. Lett. 1985. Vol. 47. N 1. P. 157--159
  19. Munekuni S., Yamanaka T., Shimogauchi Y. et al. // J. Appl. Phys. 1990. Vol. 63. N 3. P. 1212--1217
  20. Smiel A.J., Fisher T.A. // Appl. Phys. Lett. 1982. Vol. 41. N 4. P. 324--326
  21. Zink J.I. // Acc. Chem. Res. 1978. Vol. 11. N 8. P. 289--295

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme