Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2001, выпуск 11 » Статья стр. 89
<<<>>>
Автоэлектронная эмиссия в графитоподобных пленках
Образцов А.Н.1, Павловский И.Ю.1, Волков А.П.1
1Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 5 мая 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2001 г.
PDF версия
Представлены результаты исследования углеродных пленок, осаждавшихся с использованием газофазной химической реакции в плазме разряда постоянного тока. Пленки, полученные при различных параметрах процесса осаждения, отличались по структуре и фазовому составу в широких пределах: от поликристаллического алмаза до графитоподобного материала. Сравнительное исследование структуры и фазового состава пленок с помощью спектроскопии комбинационного рассеяния света, катодолюминесценции, электронной микроскопии и дифрактометрии, а также их автоэлектронных эмиссионных свойств показало, что пороговое значение напряженности электрического поля, при котором наблюдается электронная эмиссия, уменьшается с уменьшением размеров алмазных кристаллитов и ростом доли неалмазного углерода. Наиболее низкие пороговые значения поля (менее 1.5 V/mum) были получены для пленок, состоящих в основном из графитоподобного материала. На основе представленных экспериментальных фактов предлагается модель, объясняющая механизм автоэлектронной эмиссии в углеродных материалах.
  1. Himpsel F.J., Knapp J.A., Van Vechten J.A., Eastman D.E. // Phys. Rev. B. 1979. Vol. 20. P. 624
  2. Van der Weide J., Zhang Z., Baumann P.K. et al. // Phys. Rev. B. 1994. Vol. 50. P. 5803
  3. Bozeman S.P., Bauman P.K., Ward B.L. et al. // Diamond and Related Materials. 1996. Vol. 5. P. 802
  4. Eimori N., Mori Y., Hatta A. et al. // Diamond and Related Materials. 1995. Vol. 4. P. 806
  5. Zhu W., Kochanski G.P., Jin S., Seibles L. // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 78. P. 2707
  6. Robertson J. // Thin Solid Films. 1997. Vol. 296. P. 61
  7. Zhirnov V.V., Wojak G.J., Choi W.B. et al. // J. Vac. Soc. A. 1997. Vol. 15. P. 560
  8. Chi E.J., Shim J.Y., Baik H.K., Lee S.M. // Appl. Phys. Lett., 1997. Vol. 71. P. 324
  9. Nemanich R.J., Baumann P.K., Benjamin M.C. et al. // Diamond and Related Materials. 1996. Vol. 5. P. 790
  10. Huang Z.-H., Cutler P.H., Miskovsky N.M., Sullivan T.E. // Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 65. P. 2562
  11. Dworsky L.N., Jaskie J.E., Kane R.C. // US Patent. N 5180951
  12. Karabutov A.V., Konov V.I., Pimenov S.M. et al. // J. de Physique IV. Colloque 5. 1996. Vol. 6. P. 113
  13. Talin A.A., Pan L.S., McCarty K.F. et al. // Appl. Phys. Lett. 1996. Vol. 69. P. 3842
  14. Satyanarayana B.S., Hart A., Milne W.I., Robertson J. // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 71. P. 1430
  15. Weiss B.L., Badzian A., Pillone L., Badzian T. // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 71. P. 794
  16. Dadykin A.A., Naumovets A.G., Andreev V.D. et al. // Diamond and Related Materials. 1996. Vol. 5. P. 771
  17. Tcherepanov A.Y., Chakovskoi A.G., Sharov V.B. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1995. Vol. 13. P. 482
  18. Suvorov A.L., Sheshin E.P., Protasenko V.V. et al. // Rev. "Le Vide, les Couches Minces". Suppl. au N271. 1994. P. 326
  19. Gulyaev Yu.V., Chernozatonskii L.A., Kosakovskaja Z.Ja. et al. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1995. Vol. 13. P. 435
  20. De Heer W.A., Ch\^ atelain A., Ugarte D. // Science. 1995. Vol. 270. P. 1179
  21. Saito Y., Hamaguchi K., Hata K. et al. // Nature. 1997. Vol. 389. P. 555
  22. De Heer W.A., Bonard J.-M., Fauth K., Ch\^ atelain A. // Adv. Mater. 1997. Vol. 9. P. 87
  23. Baker F.S., Osborn A.R., Williams J. // J. Phys. D. 1974. Vol. 7. P. 2105
  24. Yamamoto S., Hosoki S., Fukuhara S., Futamoto M. // Surf. Sci. 1979. Vol. 86. P. 734
  25. Павловский И.Ю., Образцов А.Н. // ПТЭ. 1998. N 1. C. 152
  26. Spitsyn B.V. // Handbook of Crystal Growth. Vol. 3. Elsevier Science B. 1994. P. 402
  27. Shroder R.E., Nemanich R.J., Glass J.T. // Phys. Rev. B. 1990. Vol. 41. P. 3738
  28. Lopez-Rios T., Sandre E., Leclerq S., Sauvain E. // Phys. Rev. Lett. 1996. Vol. 76. P. 4935
  29. Lespade P., Al-Jishi R., Dresselhaus M.S. // Carbon. 1982. Vol. 20. P. 427
  30. Graham R.J., Moustakas T.D., Disco M.M. // J. Appl. Phys. 1991. Vol. 69. P. 3212
  31. Obraztsov A.N., Saparin G.V., Obyden S.K., Pavlovsky I.Yu. // Scanning. 1997. Vol. 19. P. 455
  32. Образцов А.Н., Окуши Х., Ватанабе Х., Павловский И.Ю. // ФТТ. 1997. Т. 39. С. 1787
  33. Mori Y., Eimori N., Kozuka H., Yokota Y., Moon J. // Appl. Phys. Lett. 1992. Vol. 60. P. 47
  34. Obraztsov A.N., Pavlovsky I.Yu., Volkov A.P. // J. Vac. Sci. Tec. B. 1999. Vol. 17(2). P. 674
  35. Gulyaev Yu.V., Sinitsyn N.I., Glukhova O.E. // IVMC'97 Kyongju. Korea, 1997. P. 523
  36. Robertson J., O'Reilly E.P. // Phys. Rev. B. 1987. Vol. 35. P. 2946
  37. Robertson J. // Adv. in Physics. 1986. Vol. 35. P. 317

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme