Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2001, выпуск 9 » Статья стр. 128
<<<>>>
Теоретическое исследование приборных структур, содержащих резонансно-туннельные диоды
Абрамов И.И.1, Королев А.В.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Email: nanodev@bsuir.edu.by
Поступила в редакцию: 9 января 2001 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.
PDF версия
С помощью предложенных электрических моделей и разработанного комплекса программ EC-RTS-NANODEV проведено теоретическое исследование нескольких простых приборных структур, включающих резонансно-туннельные диоды. Показано, что проанализированные структуры могут использоваться в качестве элементов многозначной логики, преобразователей частоты и генераторов самых различных сигналов, включая гармонические, релаксационные и хаотические.
  1. Алферов Ж.И. // ФТП. 1998. Т. 32. Вып. 1. С. 3--18
  2. Resonant Tunneling in Semiconductors: Physics and Applications / Ed by L.L. Chang., E.E. Mendez, C. Tejedor. NATO ASI Ser. B. 1991. Vol. 277. 538 p
  3. Single Charge Tunneling: Coulomb Blockade Phenomena in Nanostructures / Ed. by H. Grabert, M.H. Devoret. NATO ASI Series. B: Physics. New York: Plenum, 1992. Vol. 294. 336 p
  4. Nanostructure Physics and Fabrications / Ed by M.A. Reed, W.P. Kirk. Boston: Academic Press, 1989. 517 p
  5. Sen S., Capasso F., Cho A.Y., Sivco D. // IEEE Trans. 1987. Vol. ED-34. P. 2185--2190
  6. Capasso F., Sen S., Beltram F. et al. // IEEE Trans. 1989. Vol. ED-36. P. 2065--2082
  7. Chang C.E., Asbeck P.M., Wang K.-C., Brown E.R. // IEEE Trans. 1993. Vol. ED-40. P. 685--691
  8. Kawashima M., Hayashi H., Fukuyama H. et al. // Jap. J. Appl. Phys. 2000. Vol. 39. P. 2468--2472
  9. Bergman J.I., Chang J., Joo Y. et al. // IEEE Electron. Device Lett. 1999. Vol. 20, N 3. P. 119--122.
  10. Biegel B.A., Plummer J.D. // Phys. Rev., Ser. B. 1996. Vol. 54. P. 8070--8082
  11. Абрамов И.И. Моделирование физических процессов в элементах кремниевых интегральных микросхем. Минск: БГУ, 1999. 189 с
  12. Абрамов И.И., Данилюк А.Л., Королев А.В., Патент Е.А. // Матер. 8й междунар. Крымской микроволновой конференции. Севастополь, 1998. С. 599--601
  13. Абрамов И.И., Данилюк А.Л., Королев А.В. // Изв. Белорусской инжереной академии. 1998. N 2(6)/2. С. 43--46
  14. Абрамов И.И., Данилюк А.Л., Королев А.В. // Изв. Белорусской инжереной академии. 1999. N 1(7)/2. С. 119--121
  15. Абрамов И.И., Данилюк А.Л., Королев А.В. // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 2000. Т. 43. N 3. С. 59--63
  16. Абрамов И.И., Данилюк А.Л., Королев А.В. // Весцi НАН Беларусi. Сер. фiз.-тэхн. навук. 2000. N 2. С. 75--79
  17. Mohan S., Sun J.P., Mazumber P., Haddad G.I. // IEEE Trans. 1995. Vol. CAD-14. N 6. P. 653--662
  18. Абрамов И.И., Королев А.В. // Тр. 7й Междунар. научно-технической конф. "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники". Дивноморское, 2000. Т. 2. С. 16--18
  19. Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Королев А.В. // Матер. 10й междунар. Крымской микроволновой конференции. Севастополь, 2000. С. 418--420
  20. Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Данилюк А.Л., Королев А.В. // Матер. 9й междунар. Крымской микроволновой конференции. Севастополь, 1999. С. 296--299
  21. Абрамов И.И., Берашевич Ю.А., Шеремет И.В., Якубовский И.А. // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1999. Т. 42. N 2. С. 46--50
  22. Королев А.В., Абрамов И.И, // Тр. 7й Международной научно-технической конферецнии "Актуальные проблемы твердотельной электроники и микроэлектроники". Дивноморское, 2000. Т. 2. С. 13--15
  23. Абрамов И.И., Гончаренко И.А., Новик Е.Г., Шеремет И.В. // Матер. 6й междунар. Крымской микроволновой конференции. Севастополь, 1996. С. 294--298
  24. Абрамов И.И., Новик Е.Г. Численное моделирование металлических одноэлектронных транзисторов. Минск: Бестпринт, 2000. 164 с
  25. Kawano Y., Kishimoto Sh., Maezawa K., Mizutani T. // Jap. J. Appl. Phys. 1999. Vol. 38. P. L1321--L1322
  26. Kawano Y., Kishimoto Sh., Maezawa K., Mizutani T. // Jap. J. Appl. Phys. 2000. Vol. 39. P. 3334--3338
  27. Gering J.M., Crim D.A., Morgan D.G. et al. // J. Appl. Phys. 1987. Vol. 61. P. 271--276
  28. Brown E.R., Parker C.D., Sollner T.C.L.G. // Appl. Phys. Lett. 1989. Vol. 54. P. 934--936
  29. Huang C.Y., Morris J.E., Su Y.K. // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 82. P. 2690--2696
  30. Gan K.J., Su Y.K., Wang R.L. // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 81. P. 6825--6829
  31. Gan K.J., Su Y.K. // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 82. P. 5822-5828
  32. Gan K.J., Su Y.K. // Jap. J. Appl. Phys. 1997. Vol. 36. P. 6280--6284
  33. Abramov I.I., Danilyuk A.L. // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 71. P. 665--667.
  34. Абрамов И.И., Данилюк А.Л. // Матер. 7й междунар. Крымской микроволновой конференции. Севастополь, 1997. С. 379--382
  35. Абрамов И.И., Данилюк А.Л. // Весцi НАН Беларусi. Сер. фiз.-тэхн. навук. 1997. N 3. С. 64--68
  36. Абрамов И.И., Данилюк А.Л. // ЖТФ. 1998. Т. 68. Вып. 12. С. 93--94
  37. Абрамов И.И., Данилюк А.Л. // Докл. НАН Беларуси. 1998. Т. 42. N 5. С. 55--59
  38. Абрамов И.И., Данилюк А.Л. // Матер. 8й междунар. Крымской микроволновой конференции. Севастополь, 1998. С. 602--605
  39. Абрамов И.И., Данилюк А.Л. // Матер. 6й междунар. Крымской микроволновой конференции. Севастополь, 1996. С. 45--54
  40. Абрамов И.И., Данилюк А.Л., Королев А.В. // Весцi НАН Беларусi. Сер. фiз.-тэхн. навук. 2001. N 1.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme