Вышедшие номера
Влияние кластеризации на процесс плавления полупроводниковых соединений A3B5
Булярский С.В.1, Львов П.Е.1, Светухин В.В.1
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
Email: pavel@sv.uven.ru
Поступила в редакцию: 14 декабря 2000 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2001 г.

Предложена термодинамическая модель формирования кластеров в расплавах двухкомпонентных полупроводниковых соединений. Исследован процесс кластеризации в расплаве арсенида галлия, при этом получены выражения для равновесных концентраций кластеров различного размера, а также уравнение ликвидуса, которое в предельном случае малых концентраций кластеров согласуется с результатами теории квазихимического взаимодействия. Полученная система уравнений позволила удовлетворительно описать экспериментальные данные по послеплавлению и кривым ликвидуса в арсениде галлия. Рассчитанные значения энтальпии и энтропии плавления в арсениде галлия хорошо согласуются с данными по энергии диссоциации.
  1. Айвазов А.А., Глазов В.М., Регель А.Р. Энтропия плавления металлов и полупроводников. М.: ЦНИИ "Электроника", 1978. 55 с
  2. Регель А.Р., Глазов В.М. // Электронная техника. 1984. N 9 (194). С. 7--23
  3. Булярский С.В., Приходько В.В. Химический потенциал бинарного раствора // Письма в ЖТФ. 1999. Т. 25. Вып. 7. С. 33--37
  4. Львов П.Е., Светухин В.В. // Хим. физика. 1999. N 13(2). С. 93--96
  5. Булярский С.В., Светухин В.В., Львов П.Е. // ФТП. 2000. Вып. 34(4). С. 385--389
  6. Пригожин И.Р. Теория растворов. М.: Металлургия, 1990
  7. Кейси Х., Паниш М. Лазеры на гетероструктурах. Т. 2. М.: Мир, 1981
  8. Хилсум К., Рауз-Инс А. Полупроводники типа A3B5. М.: ИЛ, 1963
  9. Харрисон У. Электронная структура и свойства твердых тел. Т. 1. М.: Мир, 1983

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.