Вышедшие номера
Влияние объемного заряда на характеристики тонкопленочных электролюминесцентных излучателей на основе сульфида цинка
Гурин Н.Т.1, Сабитов О.Ю.1, Шляпин А.В.1
1Ульяновский государственый университет, Ульяновск, Россия
Email: soy@sv.uven.ru
Поступила в редакцию: 3 августа 2000 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2001 г.

Используя экспериментальные зависимости от времени мгновенной яркости и полного тока, протекающего через тонкопленочный электролюминесцентный излучатель (ТП ЭЛИ) МДПДМ структуры на основе ZnS : Mn, рассчитаны вольт-фарадные, вольт-зарядовые и вольт-амперные характеристики ТП ЭЛИ и определены условия возникновения отрицательного дифференциального сопротивления S- и N-типов. Предложен механизм образования отрицательного сопротивления, основанный на ионизации и перезарядке глубоких донорных и акцепторных центров, обусловленных вакансиями цинка и серы, с образованием объемных зарядов вблизи катодной и анодной границ слоя люминофора.