Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Об усилении люминесценции в узкозонной фазе гетерогенного полупроводника PbS--CdS

Роках А.Г.¹, Трофимова Н.Б.¹

¹Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия Saratov State University, Saratov, Russia

Saratov State University, Saratov, Russia

Email: semiconductor@sgu.ssu.runnet.ru

Поступила в редакцию: 18 декабря 2000 г.

Выставление онлайн: 19 июня 2001 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Показано, что эффект значительного увеличения интенсивности фотолюминесценции PbS при добавлении к нему CdS [1] в условиях образования гетерофазного полупроводника PbS-CdS может быть объяснен отвлечением рекомбинационного потка из широкозонной фазы в узкозонную полем варизонного перехода. Предлагается модель гетерогенного полупроводника, объясняющая "разгорание" люминесценции в системе PbS-CdS. Численными методами исследуются профиль распределения концентрации неравновесных носителей и интегральная интенсивность люминесценции на границе с узкозонной фазой.

Золотов С.И., Трофимова Н.Б., Юнович А.Э. // ФТП. 1984. Т. 18. Вып. 4. С. 631--634
Kepi Wu, Zemel J.N. // J. Vacuum Sci. Techn. 1969. Vol. 6. N 4. P. 497--502
Олейник Г.С., Мизецкий Г.А. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1983. Т. 19. N 11. C. 1799--1801
Мухамедьяров О.Д., Китаев Г.А. // ПЖТФ. 1980. Т. 6. N 21. C. 1330--1337
Calawa A.R., Mroczkovscky J.A., Harman T.S. // J. Electron. Mater. 1972. Vol. 1. N 1. P. 191--198
Роках А.Г. // ПЖТФ. 1984. Т. 10. N 13. C. 820--822
Роках А.Г., Стецюра С.В., Трофимова Н.Б., Елагина Н.В. // Неорган. материалы. 1999. Т. 35. N 5. C. 552--555
Коваленко В.Р., Пека Г.П., Шепель Л.Г. // ФТП. 1978. Т. 12. Вып. 11. С. 1421--1424
Mita I.J. // J. Phys. Soc. Jap. 1965. Vol. 20. N 10. P. 1822--1826

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель