Вышедшие номера
Об усилении люминесценции в узкозонной фазе гетерогенного полупроводника PbS--CdS
Роках А.Г.1, Трофимова Н.Б.1
1Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
Email: semiconductor@sgu.ssu.runnet.ru
Поступила в редакцию: 18 декабря 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2001 г.

Показано, что эффект значительного увеличения интенсивности фотолюминесценции PbS при добавлении к нему CdS [1] в условиях образования гетерофазного полупроводника PbS--CdS может быть объяснен отвлечением рекомбинационного потка из широкозонной фазы в узкозонную полем варизонного перехода. Предлагается модель гетерогенного полупроводника, объясняющая "разгорание" люминесценции в системе PbS--CdS. Численными методами исследуются профиль распределения концентрации неравновесных носителей и интегральная интенсивность люминесценции на границе с узкозонной фазой.
  1. Золотов С.И., Трофимова Н.Б., Юнович А.Э. // ФТП. 1984. Т. 18. Вып. 4. С. 631--634
  2. Kepi Wu, Zemel J.N. // J. Vacuum Sci. Techn. 1969. Vol. 6. N 4. P. 497--502
  3. Олейник Г.С., Мизецкий Г.А. // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. 1983. Т. 19. N 11. C. 1799--1801
  4. Мухамедьяров О.Д., Китаев Г.А. // ПЖТФ. 1980. Т. 6. N 21. C. 1330--1337
  5. Calawa A.R., Mroczkovscky J.A., Harman T.S. // J. Electron. Mater. 1972. Vol. 1. N 1. P. 191--198
  6. Роках А.Г. // ПЖТФ. 1984. Т. 10. N 13. C. 820--822
  7. Роках А.Г., Стецюра С.В., Трофимова Н.Б., Елагина Н.В. // Неорган. материалы. 1999. Т. 35. N 5. C. 552--555
  8. Коваленко В.Р., Пека Г.П., Шепель Л.Г. // ФТП. 1978. Т. 12. Вып. 11. С. 1421--1424
  9. Mita I.J. // J. Phys. Soc. Jap. 1965. Vol. 20. N 10. P. 1822--1826

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.