"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Кристаллохимическое моделирование сегнетоэлектрических материалов с низкой диэлектрической проницаемостью
Резниченко Л.А.1, Кузнецова Е.М.1, Разумовская О.Н.1, Шилкина Л.А.1
1Научно-исследовательский институт физики, Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Россия
Email: klevtsov@iphys.rnd.runnet.ru
Поступила в редакцию: 21 июня 2000 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2001 г.

Показано, что изовалентным (в A-подъячейке) сверхстехиометрическим модифицированием твердых растворов ниобатов щелочных металлов возможно повысить однородный параметр деформации элементарной ячейки и резко снизить диэлектрическую проницаемость образцов. Предложен механизм наблюдаемого эффекта. Сделано заключение о перспективности использования установленных закономерностей для моделирования практически важных сегнетопьезоэлектрических материалов.
  1. Фесенко Е.Г., Данцигер А.Я., Резниченко Л.А. и др. // ЖТФ. 1982. Т. 52. Вып. 11. С. 2262--2266
  2. Данцигер А.Я., Разумовская О.Н., Резниченко Л.А. и др. // Высокоэффективные пьезокерамические материалы. Справочник. Ростов-на-Дону: Книга, 1994. 31 с
  3. Сканави Г.И. Физика диэлектриков (область слабых полей). М.: Физматгиз, 1958. 908 с
  4. Данцигер А.Я., Разумовская О.Н., Резниченко Л.А., Дудкина С.И. Высокоэффективные пьезокерамические материалы. Оптимизация поиска. Ростов-на-Дону: Пайк, 1995. 95 с
  5. Резниченко Л.А. Автореф. канд. дис. Ростов-на-Дону, 1980. 25 с
  6. Фесенко Е.Г., Данцигер А.Я., Разумовская О.Н. Новые пьезокерамические материалы. Ростов-на-Дону: Изд-во РГУ, 1983. 158 с
  7. Фесенко Е.Г. Семейство перовскита и сегнетоэлектричество. М.: Атомиздат, 1972. 248 с
  8. Thomman H. // Z. angen. Phys. 1966. Bd 20. N 6. S. 554--559
  9. Резниченко Л.А., Разумовская О.Н., Шилкина Л.А. // Сб. докл. Международной научно-практической конференции "Пьезотехника-97". Обнинск, 1997. С. 191--196
  10. Рао Ч.Н.Р., Гопалакришнан Дж. Новые направления в химии твердого тела. Новосибирск.: Наука, 1990. Пер. с англ. 520 с
  11. Петренко А.Г., Приседский В.В. Дефекты структуры в сегнетоэлектриках. Киев, 1989. 103 с
  12. Патент Японии. N 45-22269 по кл. 62C23. 1970
  13. Патент Японии. N 45-22270 по кл. 62C23. 1970
  14. Патент Японии. N 45-30150 по кл. 62C23. 1970
  15. Резниченко Л.А., Разумовская О.Н., Шилкина Л.А., Алешин В.А. // Материалы 7-го Международного семинара по физике сегнетоэлектриков-полупроводников. Ростов-на-Дону: Книга, 1996. Вып. 6. С. 112--113
  16. Шилкина Л.А., Резниченко Л.А., Куприянов М.Ф., Фесенко Е.Г. // ЖТФ. 1977. Т. 47. Вып. 10. С. 2173--2178
  17. Резниченко Л.А., Шилкина Л.А. // Изв. АН СССР. Сер. Физич. 1975. Т. 39. N 5. C. 1118--1121
  18. ОСТ 110444--87. Материалы пьезокерамические. Технические условия. Введены с 01.01.1988. Группа Э10. 41 с

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.