Отрицательное дифференциальное сопротивление в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе сульфида цинка
Гурин Н.Т.1, Шляпин А.В.1, Сабитов О.Ю.1
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
Email: soy@sv.uven.ru
Поступила в редакцию: 15 мая 2000 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2001 г.
Обнаружена возможность существования и определены условия возникновения отрицательного дифференциального сопротивления (ОДС) S- и N-типов в тонкопленочных электролюминесцентных излучателях на основе сульфида цинка, легированного марганцем. Показано, что при приложении отрицательной полуволны напряжения возбуждения к верхнему непрозрачному электроду наблюдается ОДС S-типа с участком падения тока, а при приложении к нижнему прозрачному электроду - ОДС N-типа. Появление ОДС обусловлено образованием объемных зарядов в прикатодной и прианодной областях слоя люминофора.
- Singh V.P., Krishna S. // J. Appl. Phys. 1991. Vol. 70. N 3. P. 1811--1819
- Abu-Dayah A., Kobayashi S., Wager J.F. // Appl. Phys. Lett. 1993. Vol. 62. N 7. P. 744--746
- Abu-Dayah A., Wager J.F., Kobayashi S. // J. Appl. Phys. 1993. Vol. 74. N 9. P. 5575--5581
- Abu-Dayah A., Wager J.F. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 75. N 7. P. 3593--3598
- Neyts K.A., Corlatan D., De Visschere P. et al. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 75. N 10. P. 5339--5346
- Bringuier E. // J. Appl. Phys. 1989. Vol. 66. N 3. P. 1314--1325
- Bringuier E. // Phil. Mag. B. 1997. Vol. 75. N 2. P. 209--228
- Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю. // ЖТФ. 1999. Т. 69. Вып. 5. С. 65--73
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
