Оптимизация параметров чувствительного элемента кремниевого преобразователя давления на основе двухстоковых МДП тензотранзисторов
Бабичев Г.Г.1, Козловский С.И.1, Романов В.А.1, Шаран Н.Н.1
1Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 18 апреля 2000 г.
Выставление онлайн: 20 января 2001 г.
Приведены результаты исследования интегрального преобразователя давления с дифференциальным чувствительным элементом, состоящим из двух параллельно соединенных p-канальных двухстоковых МДП тензотранзисторов. Тензотранзисторы располагаются на планарной стороне кремниевой мембраны с жестким центром вблизи краев ее тонкой части (долины). Определена оптимальная топология преобразователя, а также рассчитаны его основные характеристики.
- Bryzek J. // Sensors and Actuators A. 1996. Vol. A56. P. 1--9
- Бабичев Г.Г., Козловский С.И., Романов В.А., Шаран Н.Н. // ЖТФ. 2000. Т. 70. Вып. 10. С. 45--49
- Yasukawa A., Shimazoe M., Matsuoka Y. // IEEE Trans. on ED. 1989. Vol. ED-36. N 7. P 1295--1302
- Nishihara M., Yamada K., Matsuoka Y. // Hitachi Rev. 1981. Vol. 30. N 6. P. 285--289
- Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. М.: Радио и связь, 1990. 264 с
- Маллер Р., Кейминс Т. Элементы интегральных схем. М.: Мир, 1989. 630 с
- Fry P.W., Hoey S.F. // IEEE Trans. on ED. 1969. Vol. ED-16. N 1. P. 35--39
- Suzuki K., Ishihara T., Hirata M., Tanigawa H. // IEEE Trans. on ED. 1987. Vol. ED-34. N 6. P. 1360--1367
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук