Кремниевые двухстоковые полевые тензотранзисторы
Бабичев Г.Г.1, Козловский С.И.1, Романов В.А.1, Шаран Н.Н.1
1Институт физики полупроводников АН Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 3 сентября 1999 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2000 г.
Приведены результаты исследования p-канальных полевых тензотранзисторов на основе кремния. Рассмотрены тензотранзисторы двух типов: МДП тензотранзистор и полевой тензотранзистор с p-n-переходом в качестве затвора. Тензотранзисторы относятся к тензочувствительным монополярным полупроводниковым приборам с горизонтальной структурой и внутренним дифференциальным выходом. Определена оптимальная топология приборов, а также рассчитаны их основные характеристики.
- Bryzek J. // Sensors and Actuators A. 1996. Vol. A56. P. 1--9
- Бабичев Г.Г., Гузь В.Н., Жадько И.П. и др. // ФТП. 1992. Т. 26. Вып. 7. С. 1244--1250
- Бойко И.И., Жадько И.П., Козловский С.И., Романов В.А. // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. Киев, 1994. Вып. 27. С. 94--98
- Викулин И.М., Стафеев В.И. Физика полупроводниковых приборов. М.: Радио и связь, 1990. 264 с
- Baltes H.P., Popovic R.S. // Proc. IEEE Trans. 1986. Vol. 74. N 8. P. 1107--1132
- Fry P.W., Hoey S.F. // IEEE Trans. on ED. 1969. Vol. ED-16. N 1. P. 35--39
- Lau J., Ko P.K., Chan P.C.H. // Sensors and Actuators A. 1995. Vol. A49. P. 155--162
- Mathieu N., Giordano P. Chovet A. // Sensors and Actuators A. 1992. Vol. 32. P. 656--660
- Бабичев Г.Г., Гузь В.Н., Жадько И.П. и др. // ФТП. 1990. Т. 24. Вып. 3. С. 409--412
- Ning F., Bruun E. // Sensors and Actuators A. 1997. Vol. A58. P. 109--112
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
