Распыление A3B5 материалов (GaP, GaAs, GaSb, InP и InSb) при бомбардировке ионами N2+ с энергией 2--14 keV
Сошников И.П.1, Берт Н.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: ipsosh@beam.ioffe.rssi.ru
Поступила в редакцию: 11 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.
Проведены исследования основных закономерностей и особенностей распыления при бомбардировке ионами N2+ материалов A3B5 (GaP, GaAs, GaSb, InP и InSb). В результате проведенных экспериментов определены зависимости выхода распыления исследуемых материалов от энергии и угла падения ионов, а также изучены типы поверхностного рельефа, образующегося при травлении мишеней. Показано, что энергетические зависимости выхода распыления для материалов GaP, GaAs и InP удовлетворительно описываются в рамках формулы Хаффа-Свитковски для двухкомпонентных материалов с приближением Юдина для однокомпонентных мишеней. Для GaSb и InSb распыление протекает в режиме рекристаллизации поверхностных слоев и выход распыления согласуется с расчетом с применением модели Ондерлиндена. Из сравнения экспериментальных и расчетных зависимостей определены значения поверхностных энергий связи.
- Herbots N., Vancauwenberghe O., Hellman O.C. et al. // Low Energy Surface Interactions / Ed Rabails J.W. Cambridge: John Wiley \& Sons, 1993. C. 1--82
- Herbots N., Vancauwengerghe O., Hellman O.C., Joo Y.C. // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Research. B. 1991. Vol. 59 / 60. P. 326--327
- DeLouise L.A. // J. Vac. Sci. Technol. A. 1993. Vol. 11. P. 609--615
- Katzshner W., Niggebrugge U., Loffler R., Schroter-Janssen H. // Appl. Phys. Lett. 1986. Vol. 48. P. 230--234
- Malherbe J.B. // Appl. Surf. Sci. 1993. Vol. 70 / 71. P. 322--329.
- Барченко В.Т. и др. // Изв. ЛЭТИ. Л.: ЛЭТИ, 1982. Т. 303. С. 42--56
- Берт Н.А., Сошников И.П. // ФТТ. 1993. Т. 35. Вып. 9. С. 2501--2508
- Андерсен Х., Бай Х. // Распыление твердых тел ионной бомбардировкой / Под ред. Р. Бериша. М.: Мир, 1984. Т. 1. С. 194--280
- Берт Н.А., Погребицкий К.Ю., Сошников И.П., Юрьев Ю.Н. // ЖТФ. 1992. Т. 62. Вып. 4. С. 162--170
- Гоулдстейн Дж., Ньюбери Д., Эчлин П. et al. Растровая электронная микроскопия и рентгеновский микроанализ. М.: Мир, 1984. Т. 1, 2
- Yamamura Y. // Radiat. Eff. 1984. T. 80. P. 57--65
- Singer I.L. et al. // Surf. Sci. 1981. Vol. 108. P. 7-15
- Бетц Г., Венер Г. Распыление твердых тел ионной бомбардировкой / Под ред. Р. Бериша. М.: Мир, 1986. Т. 2. С. 24--116
- Bhattacharya S.R., Ghose D., Basu D. // Nucl. Instrum. Meth in Phys. Research B. 1990. Vol. 47. P. 253--257
- Wada O. // J. Phys. D. 1984. Vol. 17. P. 2429--2433
- Сошников И.П., Берт Н.А., Кудрявцев Ю.А., Лунев А.В. // Поверхность. 1997. Вып. 3. С. 83--92
- Soshnikov I.P., Bert N.A., Kudrjavtsev Yu.A., Lunev A.V. // Nucl. Instrum. Metrh. in Phys. Research B. 1997. Vol. 127 / 128. P. 115--119
- Comas J., Cooper C.B. // J. Appl. Phys. 1967. Vol. 38. P. 2956--2959
- Виттон Дж.Л. // Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел / Под ред. Е.С. Машковой. М.: Мир, 1989. С. 161--212
- Смирнов В.К., Бачурин В.И. // Материалы одиннадцатов. конф. "Взаимодействие ионов с поверхностью". 1993. Т. 2. С. 83--87
- Haff P.K., Switkowski Z.E. // Appl. Phys. Lett. 1976. Vol. 29. P. 549--556
- Юдин В.В. // Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы. 1984. Вып. 6(172). С. 3--18
- Patterson W.L., Shirn G.A. // J. Vac. Sci. Technol. 1967. Vol. 4. P. 343--347
- Зигмунд П. // Распыление твердых тел ионной бомбардировкой / Под ред. Р. Бериша. М.: Мир, 1984. Т. 1. С. 89--146
- Термодинамические константы веществ / Под ред. В.П. Глушко. М.: Изд-во АН СССР, 1971
- Физико-химические свойства полупроводниковых веществ / Под Ред. E.В. Новоселовой. М.: Наука, 1978
- Розендал Х. // Распыление твердых тел ионной бомбардировкой / Под ред. Р. Бериша. М.: Мир, 1984. Т. 1. С. 281--335
- Onderlinden D. // Can. J. Phys. 1968. Vol. 46. P. 739--745
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.