Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Радиационно-индуцированная проводимость щелочно-галоидных кристаллов в сильных электрических полях при рентгено- и фотовозбуждении
1Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия 
Поступила в редакцию: 8 января 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.
Проведены исследования радиационно-индуцированной проводимости в щелочно-галоидных кристаллах при рентгеновском возбуждении и последовательном воздействии рентгеновского импульса излучения и лазерного импульса в полосе поглощения F- и F--центров окраски. Сделаны оценки основных параметров проводимости: концентрации и времени жизни носителей при рентгено- и фотовозбуждении. Обсуждены возможные процессы, определяющие нелинейность вольт-амперных характеристик. Показано, что увеличение проводимости в сильном электрическом поле возможно за счет уменьшения степени пространственной локализации электронов в зоне проводимости диэлектрика.
- Высокоэнергетическая электроника твердого тела / Под ред. Д.И. Вайсбурда. Новосибирск: Наука, 1982. 225 с
- Куликов В.Д. // ЖТФ. 1996. Т. 66. Вып. 8. С. 181--186
- Куликов В.Д. // Тез. докл. 9 Междунар. конф. по радиационной физике и химии неорганических материалов. Томск, 1996. С. 234--235
- Адуев Б.П., Белокуров Г.М., Швайко В.П. // ФТТ. Т. 37. Вып. 8. С. 2537--2539
- Алукер Э.Д., Лусис Д.Ю., Чернов С.А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов. Рига: Зинатне, 1979. 252 с
- Бутков В.В., Вайсбурд Д.И. // ДАН СССР. 1987. Т. 293. N 3. С. 598--602
- Горшков Б.Г., Епифанов А.С., Маненков А.А., Панов А.А. // Тр. ИОФН. 1986. Т. 4. С. 99--151
- Williams R.T., Bredford J.N., Faust W.L. // Phys. Rev. B. Sol. St. 1978. Vol. 18. N 12. P. 7038--7057
- Лисицын В.М., Корепанов В.И., Яковлев В.Ю. // Изв. вузов. Физика. 1996. N 11. С. 5--29
- Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973. 416 с
- Ванников А.В., Матвеев В.К., Сичкарь В.П., Тютнев А.П. Радиационные эффекты в полимерах. Электрические свойства. М.: Наука, 1983. 273 с
- Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергия, 1976. 416 с
- Пожела Ю.К. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках. М.: Наука, 1997. 367 с
- Ausmees A., Elango M., Kikas A., Pruulmann J. // Phys. St. Sol. (b). 1986. Vol. 137. N 2. P. 495--500
- Sparks M., Mils D.L., Warren W. et al. // Phys. Rev. B. 1981. Vol. 24. N 6. P. 3519--3536
- Прикладная электролюминесценция / Под ред. М.В. Фока. М.: Сов. радио, 1974. 414 с
- Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973. 456 с
- Силинь А.Р., Закис Ю.Р. // Изв. АН Латв. ССР. Сер. физич. и техн. наук. 1987. N 5. С. 68--73
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
