"Журнал технической физики"
Издателям
Вышедшие номера
Радиационно-индуцированная проводимость щелочно-галоидных кристаллов в сильных электрических полях при рентгено- и фотовозбуждении
Куликов В.Д.1, Лисюк Ю.В.1
1Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 8 января 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

Проведены исследования радиационно-индуцированной проводимости в щелочно-галоидных кристаллах при рентгеновском возбуждении и последовательном воздействии рентгеновского импульса излучения и лазерного импульса в полосе поглощения F- и F--центров окраски. Сделаны оценки основных параметров проводимости: концентрации и времени жизни носителей при рентгено- и фотовозбуждении. Обсуждены возможные процессы, определяющие нелинейность вольт-амперных характеристик. Показано, что увеличение проводимости в сильном электрическом поле возможно за счет уменьшения степени пространственной локализации электронов в зоне проводимости диэлектрика.
  1. Высокоэнергетическая электроника твердого тела / Под ред. Д.И. Вайсбурда. Новосибирск: Наука, 1982. 225 с
  2. Куликов В.Д. // ЖТФ. 1996. Т. 66. Вып. 8. С. 181--186
  3. Куликов В.Д. // Тез. докл. 9 Междунар. конф. по радиационной физике и химии неорганических материалов. Томск, 1996. С. 234--235
  4. Адуев Б.П., Белокуров Г.М., Швайко В.П. // ФТТ. Т. 37. Вып. 8. С. 2537--2539
  5. Алукер Э.Д., Лусис Д.Ю., Чернов С.А. Электронные возбуждения и радиолюминесценция щелочно-галоидных кристаллов. Рига: Зинатне, 1979. 252 с
  6. Бутков В.В., Вайсбурд Д.И. // ДАН СССР. 1987. Т. 293. N 3. С. 598--602
  7. Горшков Б.Г., Епифанов А.С., Маненков А.А., Панов А.А. // Тр. ИОФН. 1986. Т. 4. С. 99--151
  8. Williams R.T., Bredford J.N., Faust W.L. // Phys. Rev. B. Sol. St. 1978. Vol. 18. N 12. P. 7038--7057
  9. Лисицын В.М., Корепанов В.И., Яковлев В.Ю. // Изв. вузов. Физика. 1996. N 11. С. 5--29
  10. Ламперт М., Марк П. Инжекционные токи в твердых телах. М.: Мир, 1973. 416 с
  11. Ванников А.В., Матвеев В.К., Сичкарь В.П., Тютнев А.П. Радиационные эффекты в полимерах. Электрические свойства. М.: Наука, 1983. 273 с
  12. Шалимова К.В. Физика полупроводников. М.: Энергия, 1976. 416 с
  13. Пожела Ю.К. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках. М.: Наука, 1997. 367 с
  14. Ausmees A., Elango M., Kikas A., Pruulmann J. // Phys. St. Sol. (b). 1986. Vol. 137. N 2. P. 495--500
  15. Sparks M., Mils D.L., Warren W. et al. // Phys. Rev. B. 1981. Vol. 24. N 6. P. 3519--3536
  16. Прикладная электролюминесценция / Под ред. М.В. Фока. М.: Сов. радио, 1974. 414 с
  17. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. М.: Мир, 1973. 456 с
  18. Силинь А.Р., Закис Ю.Р. // Изв. АН Латв. ССР. Сер. физич. и техн. наук. 1987. N 5. С. 68--73

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.