Вышедшие номера
Радиационно-индуцированная проводимость щелочно-галоидных кристаллов в сильных электрических полях при рентгено- и фотовозбуждении
Куликов В.Д.1, Лисюк Ю.В.1
1Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 8 января 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2000 г.

Проведены исследования радиационно-индуцированной проводимости в щелочно-галоидных кристаллах при рентгеновском возбуждении и последовательном воздействии рентгеновского импульса излучения и лазерного импульса в полосе поглощения F- и F--центров окраски. Сделаны оценки основных параметров проводимости: концентрации и времени жизни носителей при рентгено- и фотовозбуждении. Обсуждены возможные процессы, определяющие нелинейность вольт-амперных характеристик. Показано, что увеличение проводимости в сильном электрическом поле возможно за счет уменьшения степени пространственной локализации электронов в зоне проводимости диэлектрика.