Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2000, выпуск 6 » Статья стр. 102
<<<>>>
Особенности кинетики роста слоев твердого раствора кремний--германий из силана и германа при наличии в вакуумной камере дополнительного нагретого элемента
Орлов Л.К.1, Потапов А.В.1, Ивин С.В.1
1Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 18 мая 1999 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2000 г.
PDF версия
С целью изучения распада молекул гидридов на поверхости растущего слоя и их влияния на скорость эпитаксиального процесса рассматривается модель кинетики роста слоев твердого раствора Si1-xGex из силана и германа в методе молекулярно-пучковой эпитаксии с газовыми источниками SiH4 и GeH4. Путем сопоставления данных численного моделирования с экспериментально установленными зависимостями изучена стационарная кинетика роста и сделан сравнительный анализ эффективности вхождения атомов Ge(Si) в растущий слой как при наличии атомарных потоков Si и Ge в реакторе (метод "горячей проволоки"), так и при их отсутствии. Проведено сопоставление скоростей роста в данном методе эпитаксии и в одном из его вариантов с сублимирующим бруском кремния в качестве дополнительного нагретого элемента. Выявлены и объяснены особенности в поведении зависимости скорости роста слоя от его состава.
  1. Greve D.W. // Mat. Sci. Eng. 1993. Vol. B18. P. 22--51
  2. Robbins D.J., Glasper J.L., Cullis A.G. et al. // J. Appl. Phys. 1991. Vol. 69. P. 3729--3732
  3. Cunningham B., Chu J.O., Akbar S. // Appl. Phys. Lett. 1991. Vol. 59. P. 3574--3576
  4. Vinh L.T., Aubry-Fortuna V., Zheng Y. et al. // Thin Solid Films. 1997. 1997. Vol. 294. P. 59--63
  5. Bramblett T.R., Lu Q., Lee N.E. et al. // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 77. P. 1504--1513
  6. Orlov L.K., Tolomasov V.A., Potapov A.V. et al. // Inst. Phys. Conf. Ser. 1997. N 155. Ch. 3. P. 205--208
  7. Орлов Л.К., Толомасов В.А., Потапов А.В. и др. // Изв. вузов. Сер. Мат. электр. техн. 1998. Т. 2. С. 30--34
  8. Orlov L.K., Tolomasov V.A., Potapov A.V. et al. // IEEE SIMC-9. 1996. P. 215--218
  9. Potapov A.V., Orlov L.K., Ivin S.V. // Thin Solid Films. 1999. Vol. 336. N 1--2. P. 191--195
  10. Орлов Л.К., Потапов А.В., Толомасов В.А. и др. // Тр. 2-го Российского симпозиума "Процессы тепломассопереноса и рост монокристаллов и тонкопленочных структур" / Под ред. В.П. Гинкина. Обнинск, 1997. С. 288--302
  11. Potapov A.V., Orlov L.K. // Proc. Int. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology". St. Petersbrug. 1998. P. 487--490
  12. Gates S.M., Greenlief C.M., Beach D.B. et al. // J. Chem. Phys. 1990. Vol. 93. P. 7493--7503
  13. Abbink H.C., Broudy R.M., McCarthy G.P. // J. Appl. Phys. 1968. Vol. 39. P. 4673--4681
  14. Brogueira P., Conde J.P., Arekat S. et al. // J. Appl. Phys. 1995. Vol. 78. P. 3776--3783
  15. Толомасов В.А., Орлов Л.К., Светлов С.П. и др. // Кристаллография. 1998. Т. 43. N 3. С. 535--540

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme