Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2000, выпуск 5 » Статья стр. 97
<<<>>>
Комплекс для регистрации и компьютерной обработки картин дифракции быстрых электронов на отражение
Петров В.Н.1, Демидов В.Н.1, Корнеева Н.П.1, Поляков Н.К.1, Цырлин Г.Э.1
1Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 февраля 1999 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2000 г.
PDF версия
Описан эффективный и быстродействующий комплекс, предназначенный для визуализации, ввода в ЭВМ и компьютерной обработки оптических картин дифракции быстрых электронов на отражение. Приведены структурные схемы и технические характеристики комплекса, его взаимосвязь с устройствами управления процесами роста полупроводниковых структур методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Описано разработанное для данного комплекса программное обеспечение, необходимое для обработки картин дифракции быстрых электронов, в том числе в реальном масштабе времени. Приведены экспериментальные результаты применения комплекса для исследования процессов гетероэпитаксиального роста и формирования InAs нанообъектов на поверхностях GaAs и Si.
  1. Herman M.A., Sitter H. Molecular Beam Epitaxy. Fundamentals and Current Status. Berlin: Springer Verlag, 1989. 376 p
  2. Senichkin A.P., Bugaev A.S., Molchnovsky R.A. // Abstracts Intern. Symp. "Nanostructures: Physics and Technology". St. Petersburg, 1993. P. 102--103
  3. Neave J.N., Joyce B.A., Dobson P.J., Norton N. // Appl. Phys. A. 1983. Vol. 31. P. 1--4
  4. Гурьянов Г.М., Демидов В.Н., Корнеева Н.П. и др. // ЖТФ. 1997. Т. 67(8). С. 111--116
  5. Ledentsov N.N. Proc. 23th Intern. Conf. Phys. Semiconductors / Ed by M. Scheffler, R. Zimmermann. Singapoure: World Scientific, 1996. Vol. 1. P. 19--21
  6. Цырлин Г.Э., Петров В.Н., Дубровский В.Г. и др. // Письма в ЖТФ. 1998. Т. 24. Вып. 8. С. 10--15
  7. Цырлин Г.Э., Поляков Н.К., Петров В.Н. и др. // Материалы совещения "Нанофотоника-99". Н. Новгород: Институт физики микроструктур РАН. С. 165--167
  8. Tersoff J., Teichert C., Lagally M.G. // Phys. Rev. Lett. 1996. Vol. 76. P. 1675--1679
  9. Жуков А.Е., Егоров А.Ю., Ковш А.Р. и др. // ФТП. 1997. Т. 31. Вып. 4. С. 483--487
  10. Цырлин Г.Э., Голубок А.О., Типисев С.Я. и др. // ФТП. 1995. Т. 29. Вып. 9. С. 1997--1701
  11. Cirlin G.E., Korneeva N.P., Demidov Y.N. et al. Compound Semiconductors 1996. Inst. Phys. Conf. Ser. N 155. IOP Published Ltd (UK), 1997. P. 821--824
  12. Цырлин Г.Э., Корнеева Н.П., Демидов В.Н. и др. // ФТП. 1997. Т. 31. Вып. 10. С. 1230--1233

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme