Кинетика пробойной электролюминесценции в p-n-структурах на карбиде кремния
Генкин А.М.1, Генкина В.К.1, Гермаш Л.П.1
1Национальный технический университет Украины "Киевский политехнических институт", Киев, Украина
Поступила в редакцию: 20 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2000 г.
С помощью однофотонного статистического метода, обеспечивающего временное разрешение 0.25 ns, исследована кинетика пробойной электролюминесценции в светодиодах на основе карбида кремния в зависимости от особенностей структуры p-n-перехода. Определены условия, при которых времена релаксации не превышают десятых долей ns и находятся за пределами временного разрешения регистрирующей системы.
- Рыжиков И.В., Рыкалин В.И., Лапшин В.Г. и др. // Полупроводниковая техника и микроэлектроника. 1975. Вып. 20. С. 87-95
- Косяченко Л.А. // Учебн. записки Тартуского ун-та. 1983. Вып. 655. С. 12--33
- Мулюкин Н.В., Пронин Б.В. // ФТП. 1975. Т. 9. Вып. 6. С. 1065--1070
- Тибергс Я., Вейнберг Ю., Янсонс Я. и др. // Методы и аппаратура для физических исследований. Рига, 1989. С. 55--69
- Дьяконов В.П. // Схемотехника устройств на мощных полевых транзисторах. Справочник. М.: Радио и связь, 1994. С. 279
- Ветохин С.С., Гулаков И.Р., Перцев А.Н. // Одноэлектронные фотоприемники. М.: Энергоатомиздат, 1986. С. 161
- Алтайский Ю.М., Генкин А.М., Генкина В.К. // Электронная техника. Сер. 2. 1987. Вып. 4(190). С. 76--78
- Алтайский Ю.М., Генкин А.М. // ЖТФ. 1982. Т. 52. Вып. 3. С. 543--545
- Алтайский Ю.М., Авраменко С.Ф., Генкин А.М. // ПТЭ. 1986. N 2. С. 245
- Белоус М.В., Генкин А.М., Генкина В.К. // ЖТФ. 1997. Т. 67. Вып. 1. С. 130--132
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук