Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Параметрическое взаимодействие волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах
Барыбин А.А., Михайлов А.И.1
1Саратовский государственный университет, Саратов, Россия 
Поступила в редакцию: 15 июля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 января 2000 г.
Разработана общая теория параметрической связи волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах с дрейфующими носителями заряда, применимая, в частности, для полупроводников типа n-GaAs и n-InP с отрицательной дифференциальной проводимостью, обусловленной междолинными электронными переходами в сильных электрических полях. В основу предложенного подхода положена электродинамическая теория возбуждения волноводов сторонними токами, обобщенная на случай произвольных волноведущих структур со сложными активными средами. Теория позволяет изучать параметрическое взаимодействие волн пространственного заряда в полупроводниковых пленках с учетом реальных условий на их границах, диффузии, анизотропии и частотной дисперсии дифференциальной подвижности электронов, а также с учетом многочастотного и многомодового характера волнового процесса в тонкопленочных структурах.
- Барыбин А.А. и др. // Микроэлектроника. 1979. Т. 8. N 1. С. 3--19
- Дин Р., Матарезе Р. // ТИЭР. 1972. Т. 60. N 12. С. 23--43
- Kumade K., Kanbe H. // Int. J. Electronics. 1985. Vol. 58. N 4. P. 587--611
- Михайлов А.И., Сергеев С.А. // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1995. Т. 38. N 10. С. 43--51
- Гуревич Г.Л., Китаев М.А., Коган А.Л., Рыжова Е.И. // РиЭ. 1988. Т. 33. N 6. С. 1272--1278
- Михайлов А.И., Сергеев С.А. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. Вып. 24. С. 75--78
- Барыбин А.А. Волны в тонкопленочных полупроводниковых структурах с горячими электронами. М.: Наука, 1986. 288 с
- Barybin A.A. // J. Appl. Phys. 1975. Vol. 46. N 4. P. 1697--1706
- Иванченко В.А., Климов Б.Н., Михайлов А.И. // ФТП. 1978. Т. 12. Вып. 3. С. 601--603
- Иванченко В.А., Климов Б.Н., Михайлов А.И. // ФТП. 1979. Т. 13. Вып. 6. С. 1172--1174
- Гуревич Г.Л., Коган А.Л. // ФТП. 1978. Т. 12. Вып. 8. С. 1518--1523
- Гуревич Г.Л., Коган А.Л., Коробков Г.М. // РиЭ. 1984. Т. 29. N 2. С. 333--340
- Игнатьев Ю.М., Михайлов А.И. // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1990. Т. 33. N 10. С. 76--78
- Пожела Ю.К. Плазма и токовые неустойчивости в полупроводниках. М.: Наука, 1977. 368 с
- Вайнштейн Л.А. Электромагнитные волны. М.: Радио и связь, 1988. 440 с
- Barybin A.A. // J. Appl. Phys. 1975. Vol. 46. N 4. P. 1707--1720
- Barybin A.A. // Progress in Electromagnetics Research / Ed. J.A. Kong. Cambridge: EMW Publishing, 1998. PIER 19. P. 241--300
- Барыбин А.А. // Изв. вузов. Радиоэлектроника. 1977. Т. 20. N 9. С. 118--120
- Rees H.D. // Sol. St. Commun. 1969. Vol. 7. N 2. P. 267--269
- Белоусов Н.П., Мартыненко Е.И., Чайка В.Е. // РиЭ. 1982. Т. 27. N 1. С. 186--187
- Белоусов Н.П., Чайка В.Е. // Укр. физ. журн. 1984. Т. 29. N 4. С. 627--628
- Стариков Е., Шикторов П. // Лит. физ. сб. 1992. Т. 32. N 4. С. 471--519
- Михайлов А.И. // Письма в ЖТФ. 1995. Т. 21. Вып. 21. С. 89--95
- Барыбин А.А., Степанова М.Г. // Изв. ЛЭТИ. 1991. Вып. 437. С. 61--64
- Люисселл У. Связанные и параметрические колебания в электронике. Пер. с англ. / Под ред. А.Н. Выставкина. М.: ИЛ, 1963. 352 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
