Вышедшие номера
Получение эпитаксиальных слоев оксида цинка на неориентирующих подложках
Атаев Б.М.1, Камилов И.К.1, Багамадова А.М.1, Мамедов В.В.1, Омаев А.К.1, Рабаданов М.Х.1
1Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
Поступила в редакцию: 11 января 1999 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.

Сообщается о первых экспериментах по выращиванию монокристаллических слоев оксида цинка на неориентирующих подложках (поликор и плавленный кварц) методом химических транспортных реакций (ХТР) в проточном реакторе пониженного давления в атмосфере водорода. Для обеспечения автоэпитаксии на поверхность неориентирующей подложки предварительно методом магнетронного распыления нанесен оптимизированный промежуточный слой оксида цинка толщиной 200-1000 Angstrem, представляющий собой текстуру базисной ориентации вне зависимости от ориентирующих свойств подложек. Показано, что последующее выращивание слоев на такой поверхности методом ХТР до толщин 1-5 обеспечивает высокое структурное совершенство, однородность и очень гладкую поверхность, в то время как на части поверхности без буферного слоя осаждаются поликристаллические пленки. Предложенный метод может быть использован для выращивания гетероэпитаксиальных структур и других электронных материалов на неориентирующих подложках методом ХТР.