Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Получение эпитаксиальных слоев оксида цинка на неориентирующих подложках

Атаев Б.М.¹, Камилов И.К.¹, Багамадова А.М.¹, Мамедов В.В.¹, Омаев А.К.¹, Рабаданов М.Х.¹

¹Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия Institute of Physics, Daghestan Science Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Institute of Physics, Daghestan Science Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Поступила в редакцию: 11 января 1999 г.

Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Сообщается о первых экспериментах по выращиванию монокристаллических слоев оксида цинка на неориентирующих подложках (поликор и плавленный кварц) методом химических транспортных реакций (ХТР) в проточном реакторе пониженного давления в атмосфере водорода. Для обеспечения автоэпитаксии на поверхность неориентирующей подложки предварительно методом магнетронного распыления нанесен оптимизированный промежуточный слой оксида цинка толщиной 200-1000 Angstrem, представляющий собой текстуру базисной ориентации вне зависимости от ориентирующих свойств подложек. Показано, что последующее выращивание слоев на такой поверхности методом ХТР до толщин 1-5 обеспечивает высокое структурное совершенство, однородность и очень гладкую поверхность, в то время как на части поверхности без буферного слоя осаждаются поликристаллические пленки. Предложенный метод может быть использован для выращивания гетероэпитаксиальных структур и других электронных материалов на неориентирующих подложках методом ХТР.

Шевталь Н.Н. Закономерности реального кристаллообразования и некоторые принципы выращивания монокристаллов. Рост кристаллов. Т. 10. М.: Наука, 1974
Клыков В.И., Гладков Н.М. Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук. 1985. N 1. С. 92
Shiosaki T., Ohnishi S., Kawabata A. // J. Appl. Phys. 1979. Vol. 50. N 5. P. 3113
Семилетов С.А., Багамадова А.М., Кузнецов Г.Ф. и др. // Кристаллография. 1979. Vol. 23. N 2. P. 377
Абдуев А.Х., Атаев Б.М., Багамадова А.М. // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. 1987, N 11. С. 1928
Shiosaki T., Ohnishi S., Nurakami Y. et al. // J. Cryst. Growth. 1978. Vol. 45. P. 346
Абдуев А.Х., Адуков А.Д., Атаев Б.М. и др. // Опт. и спектр. 1981. Т. 50. Вып. 6. С. 1137

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель