Вышедшие номера
Потенциальные электрические характеристики интерференционных транзисторов на различных материалах
Абрамов И.И.1, Берашевич Ю.А.1, Данилюк А.Л.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 19 октября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 октября 1999 г.

Проведен теоретический анализ электрических характеристик квантовых интерференционных T-транзисторов на материалах GaAs, InAs, InSb, Si с учетом зависимости эффективных масс от размеров квантовой проволоки. Показано, что при экстремально малых размерах проволоки ни один из материалов не будет иметь существенных преимуществ перед другими по частотным характеристикам исследованных транзисторов.
  1. Алферов Ж.И. // ФТП. 1998. Т. 32. Вып. 1. С. 3--18
  2. Datta S. // Superlattices and Microstructures. 1989. Vol. 6. N 1. P. 83--93
  3. Nanostructure Physics and Fabrication / Ed. M.A. Reed, W.P. Kirk. Boston: Academic Press, 1989. 517 p
  4. Subramaniam S., Bandyopadhyay S., Porod W. // J. Appl. Phys. 1990. Vol. 68. N 9. P. 4861--4870
  5. Обухов И.А. // Матер. VII межд. Крымской микроволновой конф. Севастополь, 1997. С. 383--385
  6. Liu H.I., Biegelsen D.K., Ponce F.A. et al. // Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 64. N 11. P. 1383--1385
  7. Shapiro B. // Phys. Rev. Lett. 1983. Vol. 50. N 10. P. 747--750
  8. Ghoshal A., Mitra D., Ghatak K.P. // Il. Nuovo Chimento. 1988. Vol. 12D. N 7. P. 891--899
  9. Fishetti M.V., Laux S.E. // IEEE Trans. 1991. Vol. ED-38. N 3. P. 634--660

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.