Кремниевый двухэмиттерный дифференциальный тензотранзистор с ускоряющим электрическим полем в базе
Бабичев Г.Г.1, Козловский С.И.1, Романов В.А.1, Шаран Н.Н.1
1Институт физики полупроводиников АН Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 6 мая 1998 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1999 г.
Приведены результаты исследования кремниевого двухэмиттерного тензотранзистора. Тензотранзистор относится к тензочувствительным полупроводинковым приборам с горизонтальной структурой и внутренним дифференциальным выходом. Определены оптимальная топология прибора и его основные характеристики. Показано, что коэффициент переноса транзистора близок к единице.
- Бабичев Г.Г., Гузь В.Н., Жадько И.П. и др. // ФТП. 1992. Т. 26. Вып. 7. С. 1244--1250
- Козловский С.И. // ФТП. 1995. Т. 29. Вып. 10. С. 1244--1250
- Бабичев Г.Г., Гузь В.Н., Жадько И.П. и др. // ФТП. 1992. Т. 26. Вып. 10. С. 1723--1727
- Бойко И.И., Романов В.А. // ФТП. 1977. Т. 11. Вып. 5. С. 817--835
- Baltes H.P., Popovic R.S. // Proc. IEEE Trans. 1986. Vol. 74. N 8. P. 1107--1132
- Takamiya S., Fujikawa K. // IEEE Trans. on ED. 1972. Vol. ED-19. N 10. P. 1085--1090
- Козловский С.И. // ФТП. 1996. Т. 30. Вып. 9. С. 1544--1551
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук