Критические условия спонтанной релаксации в самоорганизующихся диссипативных пленочных структурах
Хан В.П.1, Когай В.Я.1, Александрович Е.В.1
1Институт прикладной механики УрО РАН, Ижевск, Россия
Поступила в редакцию: 27 ноября 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.
Установлено, что необходимыми условиями спонтанной релаксации энергии упругой деформации в самоорганизующейся диссипативной гетероструктуре медь-As60Se40 является достижение величины энергии упругой деформации и температуры своих пороговых значений. Показано, что в интервале температур 270-340 K при спонтанной релаксации энергии упругой деформации происходят структурно-химическое упорядочение и аномальная диффузия меди в слой халькогенидного стеклообразного полупроводника. Максимальная концентрация растворенной меди в пленках составляет 40 at.%. В легированных слоях, полученных данным способом, обнаружена инверсия проводимости из p-типа в n-тип.
- Бартенев Г.М., Сандитов Д.С. Релаксационные процессы в стеклообразных системах. Новосибирск: Наука, 1986. 256 с
- Мазурин О.В. Стеклование. Л.: Наука, 1986. 158 с
- Трунов М.Л., Анчугин А.Г., Тарнай А.А. и др. // Материалы и устройства для регистрации голограмм. Л.: ФТИ, 1986. 24 с
- Борисова З.У. Халькогенидные полупроводниковые стекла. Л.: Изд-во ЛГУ, 1983. 344 с
- Филлипс Дж. // Физика за рубежом. М.: Мир, 1983. 178 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук