Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Нестационарная спектроскопия поверхностных состояний в режиме постоянного подпорогового тока МДП транзистора
1Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия 
Поступила в редакцию: 27 мая 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1999 г.
Реализован метод исследования спектра поверхностных состояний на границе раздела полупроводник-диэлектрик по релаксации напряжения на затворе МДП транзистора, измеряемого в режиме постоянного подпорогового тока. Предлагаемый метод обеспечивает возможность исследования этих состояний в обеих половинах запрещенной зоны полупроводника и удобен для тестового контроля интегральных схем. Возможности метода проиллюстрированы на примере определения радиационно-стимулированных изменений спектра поверхностных состояний.
- Simmons J.G., Wei L.S. // Sol. St. Electron. 1974. Vol. 17. P. 117--119
- Johnson M.N.J. // Vac. Sci. Technol. 1982. Vol. 21. P. 303--315
- Wang K.L. // IEEE Trans. Electron. Dev. 1980. Vol. ED-27. P. 2231--2239
- Karwath A., Schulz M. // Appl. Phys. Lett. 1988. Vol. 52. P. 634--637
- Van Overstraeten R.J., Declerck G.J., Muls P.A. // IEEE Trans. Electron. Dev. 1975. Vol. ED-22. P. 282--288
- Ms Whorter P.J., Winokur P.S. // Appl. Phys. Lett. 1986. Vol. 48. P. 133--137
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. М., 1984. Т. 2. 456 с
- Левин М.Н., Израйлит В.Л., Татаринцев А.В., Кадменский С.Г. // ПТЭ. 1992. N 2. C. 119--122
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
