Вышедшие номера
Сегнетоэлектрические материалы для интегральных схем динамической памяти
Гольцман Б.М.1, Ярмаркин В.К.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 3 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.

Обсуждаются возможности использования сегнетоэлектрических материалов для создания новых поколений интегральных схем динамической памяти с высокой плотностью записи (до 1 Gbit на одном кристалле). Рассмотрено соответствие удельной емкости и токов утечки тонкопленочных сегнетоэлектрических конденсаторов требованиям для интегральных схем с различной информационной емкостью. Показано сильное влияние вольт-фарадной зависимости сегнетоэлектрика на удельную емкость и скорость снижения напряжения на конденсаторах при их разряде в процессе хранения информации. Рассматриваются перспективы повышения удельной емкости конденсаторов памяти при использовании релаксорных сегнетоэлектриков.
  1. Kotecki D.E. // Integrated Ferroelectrics. 1997. Vol. 16. N 1--4. P. 1--19
  2. Яффе Б., Кук У., Яффе Г. Пьезоэлектрическая керамика. М.: Мир, 1974. 288 с
  3. Lemanov V.V., Smirnova E.P., Syrnikov P.P., Tarakanov E.A. // Phys. Rev. 1996. Vol. B54. N 5. P. 3151--3157
  4. Jones R.E., Maniar P.D., Campbell A.C. et al. // Integrated Ferroelectrics. 1994. Vol. 5. N 3. P. 235--244
  5. Abe K., Komatsu Sh. // Jpn. J. Appl. Phys. 1993. Vol. 32. Pt. 2. P. L1157--L1159
  6. Гольцман Б.М., Дедык А.И., Леманов В.В. и др. // ФТТ. 1996. Т. 38. Вып. 8. С. 2493--2501
  7. Гольцман Б.М., Леманов В.В., Дедык А.И. и др. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. Вып. 15. С. 46--52
  8. Abe K., Komatsu Sh. // Jpn. J. Appl. Phys. 1992. Vol. 31. Pt. 1. P. 2985--2988
  9. Liang S., Chem C.S., Shi Z.Q. et al. // Appl. Phys. Lett. 1994. Vol. 64. N 26. P. 3563--3565
  10. Lee W.-J., Kim H.-G., Yoon S.-G. // J. Appl. Phys. 1996. Vol. 80. N 10. P. 5891--5894
  11. Baumert B.A., Chang L.-H., Matsuda A.T. et al. // Integrated Ferroelectrics. 1997. Vol. 17. N 1--4. P. 165
  12. Hwang C.S., Park S.O., Cho H.-J. et al. // Appl. Phys. Lett. 1995. Vol. 67. N 19. P. 2819--2821
  13. Hwang C.S., Kang C.S., Cho H.-Ju. et al. // Integrated Ferroelectrics. 1996. Vol. 12. N 2--4. P. 199-213
  14. Nagakari Sh., Kamigaki K., Nambu Sh. // Jpn. J. Appl. Phys. 1996. Vol. 35. Pt. 1. N 9B. P. 4933--4935
  15. Udayakumar K.R., Chen J., Kumar V. et al. // Proc. 7-=SUP=-th-=/SUP=- Intern. Symp. Applic. Ferroel. Urbana--Champaign, 1990. P. 744--746
  16. Francis L.F., Payne D.A. // Proc. 7-=SUP=-th-=/SUP=- Intern. Simp. Applic. Ferroel. Urbana--Champaign, 1990. P. 263--266
  17. Cho H.-J., Kang C.S., Hwang C.S. et al. // Jpn. J. Appl. Phys. 1997. Vol. 36. N 7A. P. L874--L876
  18. Cha S.Y., Jang B.-T., Kwak D.-H. et al. // Integrated Ferroelectrics. 1996. Vol. 17. N. 1--4. P. 187--195
  19. Paik D.-S., Shin H.-Y., Choi H.-W. et al. // Ferroelectrics. 1997. Vol. 200. N 1--4. 185--195
  20. Смоленский Г.А., Боков В.А., Исупов В.А. и др. Физика сегнетоэлектрических явлений. Л.: Наука, 1985. 396 с
  21. Tantigate C., Lee J., Safari A. // Appl. Phys. Lett. 1995. Vol. 66. N 13. P. 1611--1613
  22. Patel A., Shorrocks N., Whatmore R. // Ferroelectrics. 1992. Vol. 134. N 1--4. P. 343--348
  23. Smirnova E.P., Rubinshtein O.V., Isupov V.A. // Ferroelectrics. 1993. Vol. 143. N 1--4. P. 263--270

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.