Исследование монокристаллов арсенида галлия различной кристаллографической ориентации, имплантированных ионами кремния и подвергнутых импульсному фотонному отжигу
Васильковский С.В.1, Духновский М.П.2, Конакова Р.В.1, Тхорик Ю.А.
1Институт физики полупроводников НАН Украины, Киев, Украина
2Государственное научно-производственное объединение "Исток", Фрязино, Московская область, Россия
Поступила в редакцию: 27 января 1998 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1999 г.
Приведены результаты экспериментальных исследований монокристаллов арсенида галлия ориентации (100), (311)A, (211)A, (111)A и (221)A, легированных ионами кремния на установке "Иолла-3М" при комнатной температуре (энергия ионов 75 keV, плотность ионного пучка 1 muA/cm2, доза имплантации 1.2·103 cm-2) и отожженных на установке "Импульс-5" при температуре 950oC. Методами комбинационного рассеяния света и низкотемпературной фотолюминесценции установлено, что наибольшая электрическая активность имплантированного кремния при одинаковых условиях имплантации и отжига реализуется для (100) и (311)A ориентации арсенида галлия. При этом создаются слои n-типа проводимости.
- Ионная имплантация и лучевая технология / Под ред. Дж.С. Вильямса, Дж.М. Поута. Киев: Наукова думка, 1988. 369 с
- Uppal P.N., Ahearn J.S., Little J.W. // J. Vac. Sci. B. 1988. Vol. 6. N 2. P. 597--598
- Гордиенко Е.В., Духновский М.П., Лысенкова Н.Г. и др. // Электронная техника. Сер. 1. Электроника СВЧ. 1986. Вып. 6(390). С. 66--69
- Otsuki T. // J. Appl. Phys. 1987. Vol. 61. N 3. P. 928--932
- Pearsall T.P., Nachory R.E., Chelikowsky J.R. // Phys. Rev. Lett. 1977. Vol. 39. N 5. P. 295--298
- Kamon K., Shimazu M., Kimura K. et al. // J. Crystal Crow. 1987. Vol. 84. P. 126--132
- Uppal P.N., Ahearn J.S., Muser D.P. // J. Vac. Sci. Technol. B. 1988. Vol. 5. N 3. P. 759--760
- Burns G., Dacol F.H., Wie C.R. // Sol. St. Commun. 1988. Vol. 62. N 7. P. 449--454
- Wang W.I., Mendez E.E., Kuan T.S. et al. // Appl. Phys. Lett. 1985. Vol. 47. N 8. P. 826--828
- Cargouri M., Prevot B., Schab C. // J. Appl. Phys. 1987. Vol. 62. N 9. P. 3902--3911
- Бурлаков А.Ф., Комаров Ф.Ф., Кумахов М.А., Темкин М.М. Таблицы параметров пространственного распределения ионно-имплантированных примесей. Минск: Изд-во БГУ, 1980. 374 с
- Марадудин А.А. Дефекты и колебательный спектр кристаллов. М.: Мир, 1968. 432 с
- Wagner J., Ramsteiner M. // J. Appl. Phys. 1987. Vol. 62. N 5. P. 2148--2150
- Maciaszek M., Rogers D.W., Bult R.P. et al. // Can. J. Phys. 1989. Vol. 67. P. 384--388
- Дражан А.В. // УФЖ. 1985. Т. 30. N 3. С. 453--455
- Hiramoto T., Mochizuki Y., Ikoma T. // Jap. J. Appl. Phys. 1986. Vol. 25. N 10. P. L830--L832
- Гавриленко В.И., Грехов А.М., Корбутяк Д.В., Литовченко В.Г. Оптические свойства полупроводников. Киев: Наукова думка, 1987. 608 с
- Клотыньш Э.Э. // Изв. АН ЛатвССР. Сер. физ. и техн. наук. 1989. N 4. С. 3--8
- Быковская В.А., Бычков А.Г., Зуев В.А. и др. // Поверхность. 1985. N 10. С. 48--55
- Pastrnak J., Oswald J., Gregora I. et al. // Phys. Stat. Sol. (a). 1989. Vol. 11. P. 345--359
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук