Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование тонкопленочных электролюминесцентных излучателей при возбуждении линейно нарастающим напряжением
1Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия 
Поступила в редакцию: 30 июля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 января 1999 г.
На основе решения уравнения кинетики изменения концентрации возбужденных центров свечения в электролюминесцентном слое тонкопленочного электролюминесцентного излучателя для линейно нарастающего напряжения получены зависимости средней и мгновенной яркости свечения от времени нарастания напряжения. Теоретически и экспериментально показано, что зависимости средней и амплитудной яркостей, а также внешнего и внутреннего квантового выхода, энергетического выхода и светоотдачи от времени нарастания напряжения имеют максимум, причем положение максимума определяется частотой возбуждающего напряжения. Полученные расчетные и экспериментальные зависимости позволяют определить основные параметры, характеризующие процесс электролюминесценции: сечение ударного возбуждения центров свечения, концентрацию центров свечения, вероятность перехода центров свечения в возбуженное состояние, а также вероятности излучательной и безызлучательной рекомбинации этих центров и другие.
- Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю. // ЖТФ. 1999. Т. 69. Вып. 2. С. 64--69
- Гурин Н.Т., Сабитов О.Ю. // Тр. Междунар. науч. конф. "Центры с глубокими уровнями в полупроводниках и полупроводниковых структурах". Ульяновск, 1997. С. 122--123
- Самохвалов М.К. // ЖТФ. 1996. Т. 66. Вып. 5. С. 139--144
- Гурин Н.Т. // ЖТФ. 1996. Т. 66. Вып. 5. С. 77--85
- Электролюминесцентные источники света / Под ред. И.К. Верещагина. М.: Энергоатомиздат, 1990. 168 с
- Сухарев Ю.Г., Андриянов А.В., Миронов В.С. // ЖТФ. 1994. Т. 64. Вып. 8. С. 48--54
- Жигальский А.А., Нефедцев Е.В., Троян П.Е. // Изв. вузов. Физика. 1995. N 2. С. 37--41
- Мах Р. Поликристаллические полупроводники. Физические свойства и применение / Под ред. Г. Харбеке. М.: Мир, 1989. С. 264--292
- Применение оптоэлектронных приборов / Под ред. Ю.Р. Носова. М.: Радио и связь, 1981. 344 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
