Влияние физических и химических обработок поверхности на фотолюминесценцию пористого кремния
Марончук И.Е.1, Найденков М.Н.1, Найденкова М.В.1, Сариков А.В.1, Волошина Т.Л.1
1Херсонский государственный технический университет, Херсон, Украина
Поступила в редакцию: 9 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1998 г.
Показано, что обработка поверхности пористого кремния в неорганических кислотах и растворах хлоридов металлов приводит к увеличению интенсивности фотолюминесценции этого материала. В случае хлоридов также наблюдается коротковолновой сдвиг ее максимума. Исследовано влияние кратковременного высокотемпературного отжига пористого кремния в вакууме на его фотолюминесценцию. При этом наблюдается ее частичная деградация.
- Kanemitsu Y. // Phys. Rep. 1995. Vol. 263. P. 1--91
- Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М.: Наука, 1971. 480 с
- Киселев В.Ф. Поверхностные явления в полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука, 1970. 340 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук