Вышедшие номера
Механизм высокочастотного распыления сложных оксидов
Мухортов В.М.1, Толмачев Г.Н.1, Головко Ю.И.1, Мащенко А.И.1
1Институт общей физики РАН, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 14 апреля 1997 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.

Приведены новые экспериментальные данные о механизмах роста многокомпонентных пленок Pb(Zr,Ti)O3, (Ba,Sr)TiO3 и Y--Ba--Cu--O в плазме высокочастотного разряда. При исследовании пространственного распределения интенсивности излучения распыленных частиц в высокочастотной плазме при осаждении пленок этих сложных оксидов в эпитаксиальном состоянии выявлены общие закономерности транспорта их от мишени к подложке, обусловленные особенностями отрицательного свечения высокочастотного разряда. Рассмотрена роль внешних и внутренних параметров с точки зрения описания механизмов гетероэпитаксиального роста сложных оксидов.
  1. Мухортов В.М., Толмачев Г.Н., Мащенко А.И. // ЖТФ. 1993. Т. 63. Вып. 11. С. 135--142
  2. Мухортов В.М., Толмачев Г.Н., Мащенко А.И. и др. // ЖТФ. 1992. Т. 62. Вып. 5. С. 22--28
  3. Murhortov V.M., Golovko Yu.I., Aleshin V.A. et al. // Phys. Stat. Sol. (a). 1983. Vol. 78. P. 253--257
  4. Козлов О.В. Электрический зонд в плазме. М.: Атомиздат, 1969. 291 с
  5. Хасилев В.Я., Михалевский В.С., Толмачев Г.Н. // Физика плазмы. 1980. Т. 6. N 2. С. 430--435
  6. Мак-Даниель И. Процессы столкновений в ионизованных газах. М.: Мир, 1967. 162 с
  7. Katayama T., Koshizuka N., Kitaguchi T. et al. // IEEE Trans. J. Magn. Jap. 1989. Vol. 4. P. 244--249

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.