Вышедшие номера
Сульфидная пассивация поверхности полупроводников A3B5: роль заряда иона серы и реакционного потенциала раствора
Бессолов В.Н.1, Жиляев Ю.В.1, Коненкова Е.В.1, Лебедев М.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 18 марта 1998 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1998 г.

Предложена модель, описывающая влияние раствора на электронные свойства сульфидированной поверхности полупроводника A3B5, рассматривающая процесс адсорбции серы в рамках льюисовского кислотно-основного взаимодействия. Согласно модели, плотность состояний на сульфидированной поверхности, пиннингующих уровень Ферми, уменьшается при увеличении глобальной жесткости электронной оболочки адсорбирующихся сульфид-ионов. Методом Томаса-Ферми-Дирака рассчитана глобальная жесткость сульфид-ионов с разным зарядом в зависимости от диэлектрической проницаемости среды. Показано, что жесткость иона серы тем больше, чем ниже его заряд и меньше диэлектрическая проницаемость растворителя.