Волна переключения плотности дефектов в кристаллах при импульсном лазерном воздействии
Выставление онлайн: 20 июля 1998 г.
Предложена модель зажигания волны переключения плотности дефектов в кристалле при воздействии мощных лазерных импульсов. Показано, что волна переключения возникает в результате нелинейной зависимости энергии активации процесса дефектообразования от поля деформаций, обусловленного дефектами. Обсуждаются условия реализации волны переключения, ее профиль, скорость и направление распространения.
- Мирзоев Ф.Х., Панченко В.Я., Шелепин Л.А. // УФН. 1996. Т. 166. С. 3--32
- Мирзоев Ф.Х. // Квантовая электрон. 1996. Т. 23. С. 827--831
- Мирзоев Ф.Х., Шелепин Л.А. // Письма в ЖТФ. 1996. Т. 22. Вып. 13. С. 28--31
- Моделирование на ЭВМ дефектов в металлах. / Под ред. Ю.А. Осипьяна. Л.: Наука, 1990. С. 188
- Masumura R.A., Sines G. // J. Appl. Phys. 1970. Т. 41. С. 3930--3935
- Torrens I.M. // Interatomic Potencials. New York, 1972. P. 247
- Васильев А.В., Романовский Ю.М., Яхно В.Г. // Автоволновые процессы. М.: Наука, 1987. С. 82
- Зельдович Я.Б., Баренблатт Г.И., Либрович В.Б., Махвиладзе Г.М. Математическая теория горения и взрыва. М.: Наука, 1980. 478 с
- Шкловский В.А., Кузьменко В.М. // УФН. 1989. Т. 157. С. 311--338
- Кернер Б.С., Осипов В.В. Автосолитоны. М.: Наука, 1989
- Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в полупроводниках. Л., 1972
- Альтов В.А., Львовский Ю.М., Сычев В.В. // Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15. С. 34--37
- Бондаренко П.Н., Емельянов О.А., Койков С.Н. // Письма в ЖТФ. 1989. Т. 15. С. 45--47
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук