Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 1998, выпуск 5 » Статья стр. 72
<<<>>>
Фотоэлектрические свойства солнечных элементов ITO/p+-p--InP в линейно поляризованном излучении
Ботнарюк В.М.1, Горчак Л.В.1, Раевский С.Д.1, Рудь В.Ю.2, Рудь Ю.В.3, Шербан Д.А.1
1Государственный университет, Кишенев, Молдавия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 ноября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 1998 г.
PDF версия
Гетеропереходы на основе фосфида индия и прозрачных проводящих пленок широкозонных окислов уже нашли применение в разработках высокоэффективных солнечных элементов, позволяющих довести их коэффициент полезного действия до 18% [1-3]. В данной работе представлены результаты первых исследований в линейно поляризованном излучении (ЛПИ) фотоэлектрических свойств солнечных элементов (СЭ), представляющих собой гетероконтакт между монокристаллическим фосфидом индия и пленкой из смеси оксидов индия и олова (пленки ITO, Eg=~ 3.6 eV [4]).
  1. Колтун М.М. Оптика и метрология солнечных элементов. М.: Наука, 1985. 280 с
  2. Ботнарюк В.М., Гагара Л.С., Горчак Л.В. и др. // Гелиотехника. 1990. Т. 23. С. 37--40
  3. Botnariuc V., Gagara L., Negru E. et al. // Solar Energy in Romania. 1993. V. 2. N 1. P. 53--57
  4. Check G., Genis A. // Sol. St. Technol. 1980. Vol. 23. N 1. P. 102--107
  5. Шарма Б.Л., Пурохит Р.К. Полупроводниковые гетеропереходы. М.: Сов. радио, 1979. 232 с
  6. Лунев А.В., Рудь Ю.В., Таиров М.А. и др. // Изв. вузов. Физика. 1988. Т. 31. N 8. С. 39--45
  7. Милнс А., Фойхт Д. Гетеропереходы и переходы металл--полупроводник. М.: Мир, 1975. 432 с
  8. Стриха В.И., Кильчицкая С.С. Солнечные элементы на основе контакта металл--полупроводник. СПб., 1992. 136 с
  9. Ландсберг Г.С. Оптика. М., 1976. 926 с
  10. Горбань И.С. Оптика. К.: Вища школа, 1979. 224 с
  11. Рудь Ю.В. // Изв. вузов. Физика. 1986. Т. 29. N 8. С. 68--86
  12. Конников С.Г., Мелебаев Д., Рудь В.Ю. и др. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. Вып. 12. С. 39--45
  13. Конников С.Г., Мелебаев Д., Рудь В.Ю. и др. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. Вып. 24. С. 11--17
  14. Konnikov S.G., Rud' V.Yu., Rud' Yu.V. et al. // Jap. J. Appl. Phys. 1993. Vol. 32. N 3. P. 515--517
  15. Melebaev D., Rud' V.Yu., Rud' Yu.V. // Cryst. Res. Technol. 1996. Vol. 31. N 2. P. 269--272
  16. Rud' V.Yu., Rud' Yu.V. // Abstracts 3th Intern. Workshop: Expert Evaluation and Control of Compound Semiconductor Materials and Technologies. Freiburg (Germany), 1996. P. 31
  17. Рудь В.Ю. Автореф. канд. дис. СПб., 1995. 19 с
  18. Жиляев Ю.В., Назаров Н., Рудь В.Ю. и др. // ФТП. 1993. Т. 27. Вып. 7. С. 1611--1617
  19. Рудь Ю.В., Медведкин Г.А. А.С. СССР. N 671634. БИ. N 41. 1980
  20. Medvedkin G.A., Rud' Yu.V. // Phys. St. Sol. (a). 1981. Vol. 67. N 2. P. 333--337

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme