Вышедшие номера
Сканирование лазерного излучения и очистка материалов на основе явления светоиндуцированного дрейфа частиц в полупроводниках
Крупа Н.Н.1, Погорелый А.Н.1
1Институт магнетизма АН Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 14 октября 1996 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.

Описаны результаты экспериментальных исследований явления светоиндуцированного дрейфа (СИД) электронов, поглощающих примесей и дефектов в полупроводниках A2B6 и некоторые возможности его практического использования. Показано, что СИД электронов приводит к очень большому изменению показателя преломления |Delta n|~0.01 и позволяет получить эффективное сканирование нано- и пикосекундных лазерных импульсов за счет нарушения полного внутреннего отражения. СИД поглощающих примесей вызывает увеличение их концентрации в приповерхностном слое кристаллов, что также может быть использовано в технологии полупроводников.